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2SK2735L-E	文件：89.91 Kbytes Page：8 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features •Lowon-resistanceRDS=20mΩtyp. •Highspeedswitching •4Vgatedrivedevicecanbedrivenfrom5Vsource	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
2SK2735	文件：39.5 Kbytes Page：7 Pages	SiliconNChannelMOSFETHighSpeedPowerSwitching Features •Lowon-resistanceRDS=20mΩtyp. •Highspeedswitching •4Vgatedrivedevicecanbedrivenfrom5Vsource	HitachiHitachi, Ltd. 日立公司	Hitachi
2SK2735	文件：89.91 Kbytes Page：8 Pages	SiliconNChannelMOSFETHighSpeedPowerSwitching Features •Lowon-resistanceRDS=20mΩtyp. •Highspeedswitching •4Vgatedrivedevicecanbedrivenfrom5Vsource	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
2SK2735L	文件：398.15 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
2SK2735L	文件：39.5 Kbytes Page：7 Pages	SiliconNChannelMOSFETHighSpeedPowerSwitching Features •Lowon-resistanceRDS=20mΩtyp. •Highspeedswitching •4Vgatedrivedevicecanbedrivenfrom5Vsource	HitachiHitachi, Ltd. 日立公司	Hitachi
2SK2735L	文件：89.91 Kbytes Page：8 Pages	SiliconNChannelMOSFETHighSpeedPowerSwitching Features •Lowon-resistanceRDS=20mΩtyp. •Highspeedswitching •4Vgatedrivedevicecanbedrivenfrom5Vsource	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
2SK2735L	文件：959.93 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
2SK2735S	文件：756.17 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司	DOINGTER
2SK2735S	文件：378.9 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
2SK2735S	文件：39.5 Kbytes Page：7 Pages	SiliconNChannelMOSFETHighSpeedPowerSwitching Features •Lowon-resistanceRDS=20mΩtyp. •Highspeedswitching •4Vgatedrivedevicecanbedrivenfrom5Vsource	HitachiHitachi, Ltd. 日立公司	Hitachi
2SK2735S	文件：89.91 Kbytes Page：8 Pages	SiliconNChannelMOSFETHighSpeedPowerSwitching Features •Lowon-resistanceRDS=20mΩtyp. •Highspeedswitching •4Vgatedrivedevicecanbedrivenfrom5Vsource	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
2SK2735S	文件：45.49 Kbytes Page：1 Pages	SiliconN-ChannelMOSFET Features ●Lowon-resistance ●RDS=20mΩtyp. ●Highspeedswitching ●4Vgatedrivedevicecanbedrivenfrom5Vsource	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
2SK2735STL-E	文件：89.91 Kbytes Page：8 Pages	SiliconNChannelMOSFETHighSpeedPowerSwitching Features •Lowon-resistanceRDS=20mΩtyp. •Highspeedswitching •4Vgatedrivedevicecanbedrivenfrom5Vsource	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多2SK2735L-E供应商更新时间2024-4-21 14:11:00

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