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2SK2247	文件：37.51 Kbytes Page：7 Pages	Silicon N-Channel MOS FET Features • Low on-resistance • High speed switching • Low drive current • 4 V gate drive device can be driven from 5 V source. • Suitable for DC-DC converter, motor drive, power switch, solenoid drive Application High speed power switching 文件：37.51 Kbytes 页数：7 Pages	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
2SK2247	文件：151.75 Kbytes Page：9 Pages	Silicon N-Channel MOS FET Features • Low on-resistance • High speed switching • Low drive current • 4 V gate drive device can be driven from 5 V source. • Suitable for DC-DC converter, motor drive, power switch, solenoid drive Application High speed power switching 文件：151.75 Kbytes 页数：9 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SK2247	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFETs	Renesas 瑞萨	Renesas
2SK241-GR/Y	文件：0 bytes Page：0 Pages	TO92S	TOSHIBA/东芝上传：深圳广友电子有限公司	TOSHIBA/东芝
2SK241-Y/GR	文件：0 bytes Page：0 Pages	TO-92S	TOSHIBA/东芝上传：深圳广友电子有限公司	TOSHIBA/东芝

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