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2SK0663G

Silicon N-channel junction FET

Panasonic

松下

2SK0663GRL

Package:SC-85;包装:散装 类别:分立半导体产品 晶体管 - JFET 描述:JFET N-CH 30MA 150MW SMINI-3

Panasonic

松下

2SK0663

For Low-Frequency Amplification

Silicon N-Channel Junction FET For low-frequency amplification For switching ■ Features ● Low noise-figure (NF) ● High gate to drain voltage VGDO ● S-mini type package, allowing downsizing of the sets and automatic insertion through the tape/magazine packing.

文件:73.39 Kbytes 页数:3 Pages

Panasonic

松下

2SK1058-E

TO-3P

RENESAS

瑞萨

上传:深圳市科雨电子有限公司

2SK105H/F

TO-92

TOSHIBA/东芝

上传:深圳广友电子有限公司

TOSHIBA/东芝

详细参数

  • 型号:

    2SK0663G

  • 功能描述:

    JFET N-CH 55V 30MA SMINI-3

  • RoHS:

  • 类别:

    分离式半导体产品 >> JFET(结点场效应

  • 系列:

    -

  • 标准包装:

    8,000

  • 系列:

    - 电流 - 漏极(Idss) @

  • Vds(Vgs=0):

    1.2mA @ 10V

  • 漏极至源极电压(Vdss):

    30V 漏极电流(Id) -

  • 最大:

    10mA FET

  • 型:

    N 沟道 电压 -

  • 击穿(V(BR)GSS):

    - 电压 - 切断(VGS 关)@

  • Id:

    180mV @ 1µA 输入电容(Ciss) @

  • Vds:

    4pF @ 10V 电阻 -

  • RDS(开):

    200 欧姆

  • 安装类型:

    表面贴装

  • 包装:

    带卷(TR)

  • 封装/外壳:

    3-XFDFN

  • 供应商设备封装:

    3-ECSP1006 功率 -

  • 最大:

    100mW

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多2SK0663G供应商 更新时间2025-11-20 14:00:00