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2SJ557A中文资料瑞萨数据手册PDF规格书

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厂商型号

2SJ557A

功能描述

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

丝印标识

XS

封装外壳

SC-96

文件大小

283.3 Kbytes

页面数量

8

生产厂商

RENESAS

中文名称

瑞萨

网址

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数据手册

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更新时间

2025-12-2 8:01:00

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2SJ557A规格书详情

P-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

FOR SWITCHING

DESCRIPTION

The 2SJ557A is a switching device which can be driven directly

by a 4 V power source.

The 2SJ557A features a low on-state resistance and excellent

switching characteristics, and is suitable for applications such as

power switch of portable machine and so on.

FEATURES

4 V drive available

Low on-state resistance

RDS(on)1 = 100 mΩ MAX. (VGS = −10 V, ID = −1.0 A)

RDS(on)2 = 134 mΩ MAX. (VGS = −4.5 V, ID = −1.0 A)

RDS(on)3 = 166 mΩ MAX. (VGS = −4.0 V, ID = −1.0 A)

Built-in gate protection diode

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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