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2SJ506(L)_15	文件：108.68 Kbytes Page：10 Pages	Silicon P Channel MOS FET	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
2SJ506L	文件：50.81 Kbytes Page：10 Pages	SiliconPChannelMOSFETHighSpeedPowerSwitching Features •Lowon-resistanceRDS(on)=0.065Ωtyp.(atVGS=–10V,ID=–5A) •Lowdrivecurrent •Highspeedswitching •4Vgatedrivedevices.	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
2SJ506L	文件：89.21 Kbytes Page：8 Pages	SiliconPChannelMOSFET Lowon-resistance RDS(on)=0.065Ωtyp.(atV GS=–10V,ID=–5A) Lowdrivecurrent Highspeedswitching 4Vgatedrivedevices.	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
2SJ506L-E	文件：89.21 Kbytes Page：8 Pages	SiliconPChannelMOSFET Lowon-resistance RDS(on)=0.065Ωtyp.(atV GS=–10V,ID=–5A) Lowdrivecurrent Highspeedswitching 4Vgatedrivedevices.	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
2SJ506S	文件：50.81 Kbytes Page：10 Pages	SiliconPChannelMOSFETHighSpeedPowerSwitching Features •Lowon-resistanceRDS(on)=0.065Ωtyp.(atVGS=–10V,ID=–5A) •Lowdrivecurrent •Highspeedswitching •4Vgatedrivedevices.	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
2SJ506S	文件：52.09 Kbytes Page：2 Pages	HightSpeedPowerSwitching Features Lowon-resistance RDS(on)=0.065typ.(atVGS=-10V,ID=-5A) Lowdrivecurrent Highspeedswitching 4Vgatedrivedevices.	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
2SJ506S	文件：89.21 Kbytes Page：8 Pages	SiliconPChannelMOSFET Lowon-resistance RDS(on)=0.065Ωtyp.(atV GS=–10V,ID=–5A) Lowdrivecurrent Highspeedswitching 4Vgatedrivedevices.	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
2SJ506S	文件：1.27354 Mbytes Page：4 Pages	P-ChannelMOSFET	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
2SJ506STL-E	文件：1.01578 Mbytes Page：9 Pages	P-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
2SJ506STL-E	文件：89.21 Kbytes Page：8 Pages	SiliconPChannelMOSFET Lowon-resistance RDS(on)=0.065Ωtyp.(atV GS=–10V,ID=–5A) Lowdrivecurrent Highspeedswitching 4Vgatedrivedevices.	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS

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