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2SJ349	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	BipolarSmall-SignalTransistors MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
2SJ349	文件：408.15 Kbytes Page：6 Pages	DC−DCConverter,RelayDriveandMotorDriveApplications	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
2SJ349	文件：732.29 Kbytes Page：6 Pages	DC−DCConverter,RelayDriveandMotorDriveApplications	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
2SJ349	文件：289.76 Kbytes Page：5 Pages	PCHANNELMOSTYPE(HIGHSPEED,HIGHCURRENTSWITCHING,DC-DCCONVERTER,RELAYDRIVEANDMOTORDRIVEAPPLICATIONS) DC−DCConverter,RelayDriveandMotorDriveApplications ●4-Vgatedrive ●Lowdrain−sourceON-resistance:RDS(ON)=33mΩ(typ.) ●Highforwardtransferadmittance:\|Yfs\|=20S(typ.) ●Lowleakagecurrent:IDSS=−100μA(max)(VDS=−60V) ●Enhancementmode:Vth=−0.8to−2.0V(V	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
2SJ349FT	文件：400.23 Kbytes Page：6 Pages	DC?묭CConverter,RelayDriveandMotorDriveApplications DC−DCConverter,RelayDriveandMotorDriveApplications ●4-Vgatedrive ●Lowdrain−sourceON-resistance:RDS(ON)=33mΩ(typ.) ●Highforwardtransferadmittance:\|Yfs\|=20S(typ.) ●Lowleakagecurrent:IDSS=−100μA(max)(VDS=−60V) ●Enhancementmode:Vth=−0.8to−2.0V(V	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA

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深圳市航润创能电子集团有限公司	2SJ349J349	TOSHIBA	21+	TO-220F	209	原装现货假一赔十	询价
深圳市亿顺芯科技有限公司	2SJ349电源IC	POWER INTEGRATIONS/帕沃英蒂格	2022+	TO220F	57550		询价
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更多2SJ349(FT)供应商更新时间2025-5-8 10:36:00

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