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2SJ324

SWITCHINGP-CHANNELPOWERMOSFETINDUSTRIALUSE

NECRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

2SJ324

MOSFieldEffectPowerTransistors

Features ●Lowon-stateresistance RDS(on)=0.18Ω(VGS=-10V,ID=-1A) RDS(on)=0.36Ω(VGS=-4V,ID=-0.8A) ●Built-inG-SGateProtectionDiode

KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD

科信电子广东科信实业有限公司

2SJ324

MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR

SWITCHING P-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION The2SJ324isP-channelMOSFieldEffectTransistordesignedfor solenoid,motorandlampdriver. FEATURES •LowOn-stateResistance RDS(on)=0.18ΩTYP.(VGS=−10V,ID=−1.0A) RDS(on)=0.36ΩTYP.(VGS=−4V,ID=−0.8A) •LowCis

RENESASRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

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更多2SJ324(Z)供应商 更新时间2024-6-3 10:33:00