High-current gain Power Transistor (60V, 3A)

1) High DC current gain.\n2) Low saturation voltage.\n   (Typ. VCE(sat) =0.5V at IC / IB=2A / 0.5A)\n3) Complements the 2SB1639.;

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罗姆

Package：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63；包装：带盒（TB） 类别：分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个 描述：TRANS NPN 60V 3A SOT-428

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罗姆

Package：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别：分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个 描述：TRANS NPN 60V 3A CPT3

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罗姆

High-current gain Power Transistor (60V, 3A)

Features 1) High DC current gain. 2) Low saturation voltage. (Typ. VCE(sat) =0.5V at IC / IB=2A / 0.5A)

文件：141.04 Kbytes 页数：3 Pages

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罗姆

High-current gain Power Transistor

Features ● High DC current gain. ● Low saturation voltage.

文件：39.85 Kbytes 页数：1 Pages

KEXIN

科信电子

High-current gain Power Transistor(60V, 3A)

Features 1) High DC current gain. 2) Low saturation voltage. (Typ. VCE(sat) =0.5V at IC / IB=2A / 0.5A) 3) Complements the 2SB1639.

文件：75.31 Kbytes 页数：3 Pages

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罗姆