首页 >2SD2142>规格书列表

零件编号下载&订购功能描述制造商&上传企业LOGO

2SD2142

TRANSISOR (NPN)

FEATURES ●DarlingtonConnectionforaHighhFE ●HighInputImpedance

HTSEMIShenzhen Jin Yu Semiconductor Co., Ltd.

金誉半导体深圳市金誉半导体股份有限公司

HTSEMI

2SD2142

SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors

FEATURES DarlingtonConnectionforaHighhFE HighInputImpedance

DGNJDZNanjing International Group Co

南晶电子东莞市南晶电子有限公司

DGNJDZ

2SD2142

Silicon Epitaxial Planar Transistor

FEATURES ●DarlingtonconnectionforahighHfe ●Highinputimpedance APPLICATIONS ●Generalpurposeamplifiers.

BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited

世纪微电子常州银河世纪微电子股份有限公司

BILIN

2SD2142

Plastic-Encapsulate Transistors

TRANSISTOR(NPN) FEATURES ●DarlingtonConnectionforaHighhFE ●HighInputImpedance

JIANGSU

Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd

JIANGSU

2SD2142

NPN Plastic Plastic-Encapsulate Transistor

FEATURE •DarlingtonconnectionforahighhFE. •Highinputimpedance.

SECOS

SeCoS Halbleitertechnologie GmbH

SECOS

2SD2142

NPN Plastic-Encapsulate Transistor

SECOS

SeCoS Halbleitertechnologie GmbH

SECOS

2SD2142

Silicon Epitaxial Planar Transistor

LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd

鲁光电子深圳市鲁光电子科技有限公司

LUGUANG

2SD2142K

High-gain Amplifier Transistor (30V, 0.3A)

Features 1)DarlingtonconnectionforahighhFE. (DCcurrentgain=5000(Min.)atVCE=3V,IC=10mA) 2)Highinputimpedance. Application Highgainamplifier

ROHMRohm Semiconductor

罗姆罗姆半导体集团

ROHM

2SD2142K

Silicon NPN transistor in a SOT-23 Plastic Package

Descriptions SiliconNPNtransistorinaSOT-23PlasticPackage. Features DarlingtonconnectionforahighhFE,highinputimpedance. Applications High-gainamplifiertransistor.

FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd.

蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司

FOSHAN

2SD2142K

High-gain Amplifier Transistor (30V, 0.3A)

Features 1)DarlingtonconnectionforahighhFE. (DCcurrentgain=5000(Min.)atVCE=3V,IC=10mA) 2)Highinputimpedance. Application Highgainamplifier

ROHMRohm Semiconductor

罗姆罗姆半导体集团

ROHM

2SD2142KT146

High-gain Amplifier Transistor (30V, 0.3A)

Features 1)DarlingtonconnectionforahighhFE. (DCcurrentgain=5000(Min.)atVCE=3V,IC=10mA) 2)Highinputimpedance. Application Highgainamplifier

ROHMRohm Semiconductor

罗姆罗姆半导体集团

ROHM

2SD2142_11

NPN Plastic-Encapsulate Transistor

SECOS

SeCoS Halbleitertechnologie GmbH

SECOS

2SD2142_15

NPN Plastic-Encapsulate Transistor

SECOS

SeCoS Halbleitertechnologie GmbH

SECOS

2SD2142K

High-gain Amplifier Transistor (32V, 0.3A)

ROHMRohm Semiconductor

罗姆罗姆半导体集团

ROHM

2SD2142K

High-gain Amplifier Transistor (30V, 0.3A)

ROHMRohm Semiconductor

罗姆罗姆半导体集团

ROHM

2SD2142K_1

High-gain Amplifier Transistor (30V, 0.3A)

ROHMRohm Semiconductor

罗姆罗姆半导体集团

ROHM

2SD2142KT146

包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS NPN DARL 30V 0.3A SMT3

ROHMRohm Semiconductor

罗姆罗姆半导体集团

ROHM

晶体管资料

  • 型号:

    2SD2142K

  • 别名:

    三极管、晶体管、晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-N+Darl

  • 性质:

    表面帖装型 (SMD)_通用型 (Uni)

  • 封装形式:

    贴片封装

  • 极限工作电压:

    40V

  • 最大电流允许值:

    0.3A

  • 最大工作频率:

    200MHZ

  • 引脚数:

    3

  • 可代换的型号:

    BCV27,BCV47,2SD1383K,2SD1478A,

  • 最大耗散功率:

  • 放大倍数:

    β>5000

  • 图片代号:

    H-15

  • vtest:

    40

  • htest:

    200000000

  • atest:

    .3

  • wtest:

    0

详细参数

  • 型号:

    2SD2142

  • 制造商:

    SECOS

  • 制造商全称:

    SeCoS Halbleitertechnologie GmbH

  • 功能描述:

    NPN Plastic Plastic-Encapsulate Transistor

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
CJ/长晶
SOT23
7906200
询价
ROHM
2008++
SOT-23
7730
新进库存/原装
询价
ROHM
2017+
SOT-23
52145
深圳香港代理原装现货库存(美国-日本-台湾)可开正规增
询价
ROHM
22+23+
SOT-23
27778
绝对原装正品全新进口深圳现货
询价
长电
2017+
SOT-23
9800
全新原装正品现货/长期大量供货!!
询价
ROHM/罗姆
2048+
SOT-23
9852
只做原装正品现货!或订货假一赔十!
询价
ROHM
2021+
SOT-23
6430
原装现货/欢迎来电咨询
询价
长电
2022+
SOT-23
7300
原装现货
询价
CJ/长电
2021+
SOT-23
306000
原厂授权代理,海外优势订货渠道。可提供大量库存,详
询价
ROHM/罗姆
22+
SOT-23
50000
只做原装正品,假一罚十,欢迎咨询
询价
更多2SD2142供应商 更新时间2024-4-27 16:18:00