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2SD2012 分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个 TOSHIBA/东芝

图片仅供参考，请参阅产品规格书

订购数量	价格
1+	面议

厂家型号：
2SD2012
产品分类：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
生产厂商：
TOSHIBA/东芝
库存数量：
8215
产品封装：
TO220
生产批号：
23+
库存类型：
常用库存
更新时间：
2024-4-16 16:34:00

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详细信息
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原厂料号：2SD2012品牌：TOSHIBA/东芝

原厂原装

2SD2012是分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个。制造商TOSHIBA/东芝/STMicroelectronics生产封装TO220/TO-220-3 整包的2SD2012晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。

芯片型号：
2SD2012
规格书：
下载下载2
企业简称：
TOSHIBA【东芝】详情
厂商全称：
Toshiba Semiconductor
中文名称：
株式会社東芝
内容页数：
3 页
文件大小：
165.91 kb
资料说明：
NPN TRIPLE DIFFUSED TYPE (AUDIO FREQUENCY POWER AMPLIFIER APPLICATIONS)

产品参考属性

类型
描述
产品编号：
2SD2012
制造商：
STMicroelectronics
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
管件
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
1V @ 200mA，2A
电流 - 集电极截止（最大值）：
100µA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
100 @ 500mA，5V
频率 - 跃迁：
3MHz
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商器件封装：
TO-220F
描述：
TRANS NPN 60V 3A TO220F

供应商

企业：
深圳市昂芯微科技有限公司
商铺：
进入商铺
联系人：
张富英/曾先生
手机：
13169937168
询价：
电话：
13169937168/13163707198
地址：
深圳市福田区沙头街道沙尾社区沙尾东村228号301/门市地址：深圳市福田区振兴路华匀大厦1栋A235室

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2SD2012

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