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2SD1705	文件：92.88 Kbytes Page：4 Pages	SiliconNPNepitaxialplanartype Forpowerswitching Complementaryto2SB1154 ■Features •Lowcollector-emittersaturationvoltageVCE(sat) •SatisfactorylinearityofforwardcurrenttransferratiohFE •LargecollectorcurrentIC •Full-packpackagewhichcanbeinstalledtotheheatsinkwithonescrew	PanasonicPanasonic Corporation 松下松下电器	Panasonic
2SD1705	文件：255.75 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconNPNPowerTransistor DESCRIPTION •Collector-EmitterBreakdownVoltage-:V(BR)CEO=80V(Min) •GoodLinearityofhFE •LowCollectorSaturationVoltage-:VCE(sat)=0.5V(Max.)@IC=6A •ComplementtoType2SB1154 APPLICATIONS •Designedforpowerswitchingapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

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2SD1705

文件：92.88 Kbytes

Page：4 Pages

SiliconNPNepitaxialplanartype

Forpowerswitching Complementaryto2SB1154 ■Features •Lowcollector-emittersaturationvoltageVCE(sat) •SatisfactorylinearityofforwardcurrenttransferratiohFE •LargecollectorcurrentIC •Full-packpackagewhichcanbeinstalledtotheheatsinkwithonescrew

PanasonicPanasonic Corporation

松下松下电器

Panasonic

2SD1705

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iscSiliconNPNPowerTransistor

DESCRIPTION •Collector-EmitterBreakdownVoltage-:V(BR)CEO=80V(Min) •GoodLinearityofhFE •LowCollectorSaturationVoltage-:VCE(sat)=0.5V(Max.)@IC=6A •ComplementtoType2SB1154 APPLICATIONS •Designedforpowerswitchingapplications

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

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更多2SD1705-Q供应商更新时间2024-5-17 11:36:00

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