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2SD1222

NPNEPITAXIALTYPE(SWITCHING,HAMMERDRIVE,PULSEMOTORDRIVE,POWERAMPLIFIERAPPLICATIONS)

SwitchingApplications HammerDrive,PulseMotorDriveApplications PowerAmplifierApplications •HighDCcurrentgain:hFE=2000(min)(VCE=2V,IC=1A) •Lowsaturationvoltage:VCE(sat)=1.5V(max)(IC=2A) •Complementaryto2SB907.

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社東芝

2SD1222

SwitchingApplications

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社東芝

2SD1222

BipolarSmall-SignalTransistors

MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社東芝

2SD1222

SiliconNPNPowerTransistor

DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage- :V(BR)CEO=40V(Min) ·DCCurrentGain- :hFE=2000(Min)@IC=1A APPLICATIONS ·DC-DCconverter,relaydrivers,lampdrivers,motor drivers,inverter

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

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更多2SD1222Q供应商 更新时间2024-6-14 11:11:00