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2SC5585	文件：35.99 Kbytes Page：1 Pages	LowFrequencyTransistor Features Higcurrent. LowVCE(sat):VCE(sat)250mVatIC=200mA/IB=10mA	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
2SC5585	文件：198.29 Kbytes Page：3 Pages	NPNTRANSISTOR FEATURES: Highcurrent. LowVCE(sat).VCE(sat).250mVatIC=200mA/IB=10mA	WEITRONWEITRON 威堂電子科技	WEITRON
2SC5585	文件：204.74 Kbytes Page：2 Pages	NPNSiliconGeneralPurposeTransistor	SECOS SeCoS Halbleitertechnologie GmbH	SECOS
2SC5585	文件：166.7 Kbytes Page：4 Pages	LOWFREQUENCYTRANSISTOR FEATURES ●Highcurrent. ●LowVCE(sat). Applications ●Forswitching. ●Formuting.	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 世纪微电子常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
2SC5585	文件：2.97723 Mbytes Page：4 Pages	SOT-523Plastic-EncapsulateTransistors TRANSISTOR(NPN) FEATURES ●Highcurrent. ●LowVCE(sat).VCE(sat)≤250mVatIC=200mA/IB=10mA	JIANGSU Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd	JIANGSU
2SC5585	文件：69.74 Kbytes Page：3 Pages	Lowfrequencytransistor(12V,0.5A) Thetransistorof500mAclasswhichwentonlyinto2125sizeconventionallywasattainedin1608sizesor1208sizes. Features 1)Highcurrent. 2)LowVCE(sat). VCE(sat)≤250mVatIC=200mA/IB=10mA Applications Forswitching Formuting	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
2SC5585	文件：168.08 Kbytes Page：2 Pages	NPNSiliconGeneralPurposeTransistor FEATURES •HighCurrent. •LowVCE(sat).VCE(sat)≦0.25V(@IC=200mA/IB=10mA) •Complementof2SC4738. Application •GeneralPurposeAmplification.	SECOS SeCoS Halbleitertechnologie GmbH	SECOS
2SC5585F	文件：135.75 Kbytes Page：2 Pages	NPNSiliconGeneralPurposeTransistor FEATURES LowVCE(sat)-VCE(sat)250mVatIC=200mA/IB=10mA HighCurrent	SECOS SeCoS Halbleitertechnologie GmbH	SECOS

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更多2SC5585GZTL供应商更新时间2024-5-6 9:18:00

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