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2SC5089	文件：345.85 Kbytes Page：5 Pages	NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE (VHF~UHF BAND LOW NOISE AMPLIFIER APPLICATNIONS) VHF~UHFBandLowNoiseAmplifierApplications ●Lownoisefigure,highgain. ●NF=1.1dB,\|S21e\|2=13dB(f=1GHz)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝
2SC5089	文件：319.69 Kbytes Page：7 Pages	High Gain Bandwidth Product DESCRIPTION •HighGainBandwidthProductfT=10GHzTYP. •HighGain,LowNoiseFigure\|S21e\|2=13dBTYP.,NF=1.1dBTYP@f=1GHz APPLICATIONS •DesignedforVHF~UHFbandlownoiseamplifierapplications.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
2SC5089	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	Bipolar Small-Signal Transistors MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝

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NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE (VHF~UHF BAND LOW NOISE AMPLIFIER APPLICATNIONS)

VHF~UHFBandLowNoiseAmplifierApplications ●Lownoisefigure,highgain. ●NF=1.1dB,|S21e|2=13dB(f=1GHz)

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社東芝

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High Gain Bandwidth Product

DESCRIPTION •HighGainBandwidthProductfT=10GHzTYP. •HighGain,LowNoiseFigure|S21e|2=13dBTYP.,NF=1.1dBTYP@f=1GHz APPLICATIONS •DesignedforVHF~UHFbandlownoiseamplifierapplications.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

2SC5089

文件：1.58274 Mbytes

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Bipolar Small-Signal Transistors

MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

TOSHIBAToshiba Semiconductor

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晶体管资料

型号：
2SC5089
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
表面帖装型（SMD）_甚高频（VHF）_超高频/特高频
封装形式：
贴片封装
极限工作电压：
20V
最大电流允许值：
0.04A
最大工作频率：
10GHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
2SC3583,2SC3585,2SC3904,2SC4591,
最大耗散功率：
放大倍数：
图片代号：
H-15
vtest：
20
htest：
10000000000
atest：
.04
wtest：
0

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