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2SC5087YTE85LF	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：SC-61AA；包装：散装类别：分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 射频描述：RF TRANS NPN 12V 7GHZ SMQ	Toshiba Semiconductor and Storage Toshiba Semiconductor and Storage	Toshiba Semiconductor and Storage
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2SC5087-O	文件：167.88 Kbytes Page：7 Pages	VHF~UHFBandLowNoiseAmplifierApplications VHF~UHFBandLowNoiseAmplifierApplications •Lownoisefigure,highgain. •NF=1.1dB,\|S21e\|2=13dB(f=1GHz)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
2SC5087R	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	BipolarSmall-SignalTransistors MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
2SC5087R	文件：95.25 Kbytes Page：3 Pages	SiliconNPNEpitaxialPlanarTypeVHF~UHFBandLowNoiseAmplifierApplications VHFtoUHFBandLowNoiseAmplifierApplications •Lownoisefigure,highgain. •NF=1.1dB,\|S21e\|2=13.5dB(f=1GHz)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA

产品属性

产品编号：
2SC5087YTE85LF
制造商：
Toshiba Semiconductor and Storage
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
包装：
散装
晶体管类型：
NPN
电压 - 集射极击穿（最大值）：
12V
频率 - 跃迁：
7GHz
噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）：
1.1dB @ 1GHz
增益：
13dB
功率 - 最大值：
150mW
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
120 @ 20mA，10V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
80mA
工作温度：
125°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
SC-61AA
供应商器件封装：
SMQ
描述：
RF TRANS NPN 12V 7GHZ SMQ

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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