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2SC4807ERTR-E	文件：176.15 Kbytes Page：8 Pages	Silicon NPN Epitaxial Features •Highgainbandwidthproduct fT=4.4GHzTyp •Highoutputpower 1dBPowercompressionpointPcp=24dBmTypatVCE=5V,IC=100mA,f=900MHz Application VHF/UHFwidebandamplifier	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
2SC4807	文件：212.22 Kbytes Page：5 Pages	HighGain-BandwidthProduct DESCRIPTION •HighGain-BandwidthProduct fT=4.4GHzTYP. •HighOutputPower 1dBPowercompressionpointPcp=24dBmTYP.@VCE=5V,IC=100mA,f=900MHz APPLICATIONS •DesignedforVHF~UHFwidebandamplifierapplications.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
2SC4807	文件：176.15 Kbytes Page：8 Pages	SiliconNPNEpitaxial Features •Highgainbandwidthproduct fT=4.4GHzTyp •Highoutputpower 1dBPowercompressionpointPcp=24dBmTypatVCE=5V,IC=100mA,f=900MHz Application VHF/UHFwidebandamplifier	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
2SC4807	文件：46.8 Kbytes Page：8 Pages	SiliconNPNEpitaxial Features •HighgainbandwidthproductfT=4.4GHzTyp •Highoutputpower 1dBPowercompressionpointPcp=24dBmTypatVCE=5V,IC=100mA,f=900MHz Application VHF/UHFwidebandamplifier	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi

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