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2SC4357	文件：147.04 Kbytes Page：3 Pages	FOR HIGH CURRENT DRIVE AMPLIFY APPLICATION SILICON NPN EPITAXIAL TYPE DESCRIPTION 2SC4357isasiliconNPNepitaxialtypetransistordesignedforhighcollectorcurrent,forhighvoltage. FEATURES ●HighvoltageVCEO=60V ●Highcollectorcurrent(IC=2A) ●Lowcollectortoemittersaturationvoltage VCE(sat)=0.5Vmax(@IC=1A,IB=50mA) ●Highcollectordissip	ISAHAYAIsahaya Electronics Corporation Isahaya电子公司

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2SC4357

文件：147.04 Kbytes

Page：3 Pages

FOR HIGH CURRENT DRIVE AMPLIFY APPLICATION SILICON NPN EPITAXIAL TYPE

DESCRIPTION 2SC4357isasiliconNPNepitaxialtypetransistordesignedforhighcollectorcurrent,forhighvoltage. FEATURES ●HighvoltageVCEO=60V ●Highcollectorcurrent(IC=2A) ●Lowcollectortoemittersaturationvoltage VCE(sat)=0.5Vmax(@IC=1A,IB=50mA) ●Highcollectordissip

ISAHAYAIsahaya Electronics Corporation

Isahaya电子公司

晶体管资料

型号：
2SC4357
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
表面帖装型（SMD）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
60V
最大电流允许值：
2A
最大工作频率：
80MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
2SC2873,2SC3647,2SC4132,2SD1422,2SD1623,
最大耗散功率：
0.9W
放大倍数：
图片代号：
H-100
vtest：
60
htest：
80000000
atest：
2
wtest：
.9

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多2SC4357供应商更新时间2024-4-27 16:18:00

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