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2SC4135T-E	文件：385.87 Kbytes Page：9 Pages	Bipolar Transistor Adoption of FBET, MBIT processes Features •AdoptionofFBET,MBITprocesses •Highbreakdownvoltageandlargecurrentcapacity •Fastswitchingspeed •Smallandslimpackagepermitting 2SA1593/2SC4135-appliedsetstobemademorecompact Applications •Powersupplies,relayderivers,lampdrivers	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
2SC4135T-TL-E	文件：385.87 Kbytes Page：9 Pages	Bipolar Transistor Adoption of FBET, MBIT processes Features •AdoptionofFBET,MBITprocesses •Highbreakdownvoltageandlargecurrentcapacity •Fastswitchingspeed •Smallandslimpackagepermitting 2SA1593/2SC4135-appliedsetstobemademorecompact Applications •Powersupplies,relayderivers,lampdrivers	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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2SC4135T-E	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 100V 2A TP	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
2SC4135T-TL-E	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63；包装：散装类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 100V 2A TPFA	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

产品属性

产品编号：
2SC4135T-E
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
400mV @ 100mA，1A
电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
200 @ 100mA，5V
频率 - 跃迁：
120MHz
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA
供应商器件封装：
TP
描述：
TRANS NPN 100V 2A TP

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