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2SC4098	文件：299.49 Kbytes Page：3 Pages	iscSiliconNPNPowerTransistor DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage- :V(BR)CEO=25V(Min) ·DCCurrentGain- :hFE=56(Min)@IC=1mA ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS ·Designedforaudioandgeneralpurposeapplications.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
2SC4098	文件：1.58913 Mbytes Page：3 Pages	SOT-323Plastic-EncapsulateTransistors FEATURES LowCollectorCapacitance HighGain	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ
2SC4098	文件：105.59 Kbytes Page：3 Pages	High-frequencyAmplifierTransistor Features 1)Lowcollectorcapacitance.(Cob:Typ.1.3pF) 2)Lowrbb,highgain,andexcellentnoisecharacteristics.	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
2SC4098	文件：695.81 Kbytes Page：3 Pages	SOT-323Plastic-EncapsulateTransistors TRANSISTOR(NPN) FEATURES ●LowCollectorCapacitance ●HighGain	JIANGSU Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd	JIANGSU
2SC4098	文件：172.69 Kbytes Page：3 Pages	High-frequencyAmplifierTransistor(25V,50mA,300MHz)	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
2SC4098	文件：742.14 Kbytes Page：6 Pages	SiliconNPNtransistorinaSOT-323PlasticPackage Descriptions SiliconNPNtransistorinaSOT-323PlasticPackage. Features Hightransitionfrequency,smallcollectoroutputcapacitancecomplementarypair. Applications Audiofrequencyamplifierapplications.	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司	FOSHAN
2SC4098	文件：407.9 Kbytes Page：1 Pages	TRANSISTOR(NPN) FEATURES ●LowCollectorCapacitance ●HighGain	HTSEMIShenzhen Jin Yu Semiconductor Co., Ltd. 金誉半导体深圳市金誉半导体股份有限公司	HTSEMI
2SC4098	文件：80.48 Kbytes Page：4 Pages	High-frequencyAmplifierTransistor(25V,50mA,300MHz) High-frequencyAmplifierTransistor (25V,50mA,300MHz) Features 1)Lowcollectorcapacitance.(Cob:Typ.1.3pF) 2)Lowrbb,highgain,andexcellentnoisecharacteristics.	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
2SC4098	文件：147.11 Kbytes Page：3 Pages	High-frequencyAmplifierTransistor(25V,50mA,300MHz)	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
2SC4098	文件：83.33 Kbytes Page：1 Pages	NPNPlastic-EncapsulateTransistor FEATURES •LowCollectorCapacitance. •HighGain.	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
2SC4098	文件：45.25 Kbytes Page：1 Pages	High-frequencyAmplifierTransistor Features ●Lowcollectorcapacitance.(Cob:Typ.1.3pF) ●Lowrbb,highgain,andexcellentnoisecharacteristics.	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN

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