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2SC3661	文件：76.41 Kbytes Page：3 Pages	High-hFE,Low-FrequencyGeneral-PurposeAmpApplications??????? HighhFE,Low-FrequencyGeneral-PurposeAmplifierApplications Features •Verysmall-sizedpackagepermitting2SC3661-usedsetstobemadesmaller,slimmer. •AdoptionofFBETprocess. •HighDCcurrentgain(hFE=800to3200). •Lowcollector-to-emittersaturationvoltage(VCE(sat)≤0.5V). •	SANYOSanyo 三洋三洋电机株式会社	SANYO
2SC3661	文件：36.55 Kbytes Page：1 Pages	NPNEpitaxialPlanarSiliconTransistor Features ●Lowfrequencygeneral-purposeamplifiers,drivers,mutingcircuit. ●AdoptionofFBETprocess. ●HighDCcurrentgain(hFE=800to3200). ●Lowcollector-to-emittersaturationvoltage(VCE(sat)0.5V). ●HighVEBO(VEBO15V).	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN

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SANYOSanyo

三洋三洋电机株式会社

SANYO

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NPNEpitaxialPlanarSiliconTransistor

Features ●Lowfrequencygeneral-purposeamplifiers,drivers,mutingcircuit. ●AdoptionofFBETprocess. ●HighDCcurrentgain(hFE=800to3200). ●Lowcollector-to-emittersaturationvoltage(VCE(sat)0.5V). ●HighVEBO(VEBO15V).

KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD

科信电子广东科信实业有限公司

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更多2SC3661-U-TB-E供应商更新时间2024-6-20 16:55:00

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