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iscSiliconNPNPowerTransistor DESCRIPTION ·HighCollector-EmitterBreakdownVoltage-:V(BR)CEO=800V(Min) ·FastSwitchingSpeed APPLICATIONS ·Switchingregulatorandhighvoltageswitchingapplications ·HighspeedDC-DCconverterapplications. | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 | ISC | ||
NPNTRIPLEDIFFUSEDTYPE(SWITCHINGREGULATORANDHIGHVOLTAGESWITCHING,HIGHSPEEDDC-DCCONVERTERAPPLICATIONS) SWITCHINGREGULATORANDHIGHVOLTAGESWITCHINGAPPLICATIONS. HIGHSPEEDDC-DCCONVERTERAPPLICATIONS. ExcellentSwitchingTime:Tr=1.0µs(Max.),Tf=1.01.0µs(Max.) HighCollectorBreackdownVoltage:VCEO=800V | TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝 | TOSHIBA |
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