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2SC3651	文件：50.68 Kbytes Page：1 Pages	NPNEpitaxialPlanarSiliconTransistors Features ●HighDCcurrentgain ●Highbreakdownvoltage ●Lowcolleotor-to-emittersaturationvoltage ●HighVEBO(VEBO15V) ●Verysmallsizemakingiteasytoprovidehigh-densitysmall-sizedhybridICs.	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
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2SC3651	文件：83.18 Kbytes Page：3 Pages	High-hFE,Low-FrequencyGeneral-PurposeAmpApplications??????? HighhFE,Low-FrequencyGeneral-PurposeAmplifierApplications Features •HighDCcurrentgain(hFE=500to2000). •Highbreakdownvoltage(VCEO≥100V). •Lowcollector-to-emittersaturationvoltage(VCE(sat)≤0.5V). •HighVEBO(VEBO≥15V). •Verysmallsizemakingiteasytoprovidehigh-dens	SANYOSanyo 三洋三洋电机株式会社	SANYO

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NPNEpitaxialPlanarSiliconTransistors

Features ●HighDCcurrentgain ●Highbreakdownvoltage ●Lowcolleotor-to-emittersaturationvoltage ●HighVEBO(VEBO15V) ●Verysmallsizemakingiteasytoprovidehigh-densitysmall-sizedhybridICs.

KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd

科信电子广东科信实业有限公司

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HighhFE,Low-FrequencyGeneral-PurposeAmplifierApplications Features •HighDCcurrentgain(hFE=500to2000). •Highbreakdownvoltage(VCEO≥100V). •Lowcollector-to-emittersaturationvoltage(VCE(sat)≤0.5V). •HighVEBO(VEBO≥15V). •Verysmallsizemakingiteasytoprovidehigh-dens

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