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NPNEPITAXIALSILICONTRANSISTOR PRE-AMPLIFIER,LOWLEVEL&LOWNOISE *ComplementtoS9015LT1 *CollectorCurrent:Ic=100mA *Collector-EmitterVoltage:Vce=45V *HighTotalPowerDissipation:Pc=225mW *HighHfeAndGoodLinearity | WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD 永而佳深圳市永而佳实业有限公司 | WINNERJOIN | ||
NPNSILICONTRANSISTOR DESCRIPTION The2SC2786isdesignedforuseinFMRFamplifierandlocaloscillatorofFMtuner. FEATURES ●Highgainbandwidthproduct(fT=600MHzTYP.) ●Smalloutputcapacitance(Cob=1.0pFTYP.) ●Lownoisefigure(NF=3.0dBTYP.@100MHz) | NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社 | NEC | ||
NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistor NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistor forFMRFamplifierandlocaloscillatorofFMtuner. ThetransistorissubdividedintothreegroupsM,L, andK,accordingtoitsDCcurrentgain. Onspecialrequest,thesetransistorscanbe manufacturedindifferentpinconfigurations. Features 1) | SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD. 先之科半导体先之科半导体科技（东莞）有限公司 | SEMTECH_ELEC |
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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