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2SC2570A-T

HIGH FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR

HIGHFREQUENCYLOWNOISEAMPLIFIER NPNSILICONEPITAXIALTRANSISTOR DESCRIPTION The2SC2570AisdesignedforuseinLowNoiseAmplifierofVHF&UHFstages. FEATURES •Lownoiseandhighgain:NF=1.5dBTYP.,Ga=8dBTYP.@f=1.0GHz,VCE=10V,IC=5.0mA •Widedynamicrange:

NECRenesas Electronics America

瑞萨日本瑞萨电子株式会社

2SC2570

Electricalcharacterlitics

GeneralPurposeDiodes

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司

2SC2570

GeneralPurposeDiodes

GeneralPurposeDiodes

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司

2SC2570A

NPNEPITAXIALSILICONRFTRANSISTORFORHIGH-FREQUENCYLOW-NOISEAMPLIFICATION

RENESASRenesas Technology Corp

瑞萨瑞萨科技有限公司

2SC2570A

iscSiliconNPNRFTransistor

DESCRIPTION •LowNoiseandHighGain NF=1.5dBTYP. Ga=8dBTYP.@f=1.0GHz,VCE=10V,IC=5mA •WideDynamicRange NF=1.9dBTYP. Ga=9dBTYP.@f=1.0GHz,VCE=10V,IC=15mA APPLICATIONS •Designedforuseinlow-noiseamplifierofVHF~UHFstages.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

2SC2570A

HIGHFREQUENCYLOWNOISEAMPLIFIERNPNSILICONEPITAXIALTRANSISTOR

HIGHFREQUENCYLOWNOISEAMPLIFIER NPNSILICONEPITAXIALTRANSISTOR DESCRIPTION The2SC2570AisdesignedforuseinLowNoiseAmplifierofVHF&UHFstages. FEATURES •Lownoiseandhighgain:NF=1.5dBTYP.,Ga=8dBTYP.@f=1.0GHz,VCE=10V,IC=5.0mA •Widedynamicrange:

NECRenesas Electronics America

瑞萨日本瑞萨电子株式会社

详细参数

  • 型号:

    2SC2570A-T

  • 制造商:

    NEC

  • 制造商全称:

    NEC

  • 功能描述:

    HIGH FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
NEC
23+
TO-92
50000
全新原装正品现货,支持订货
询价
RENESAS/瑞萨
2023+
T0-92
50000
AI智能識别、工業、汽車、醫療方案LPC批量及配套一站
询价
NEC
24+
TO-92
60000
全新原装现货
询价
RENESAS/瑞萨
25+
T0-92
56468
百分百原装现货 实单必成
询价
SON
2023+
3P
8700
原装现货
询价
原厂
2023+
TOP-3A
50000
原装现货
询价
SON
23+
TO
20000
正品原装货价格低
询价
SANKEN
24+
200
询价
ISC
23+
NA
19960
只做进口原装,终端工厂免费送样
询价
SANKEN
TO-3P
22+
6000
十年配单,只做原装
询价
更多2SC2570A-T供应商 更新时间2025-7-29 11:00:00