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2SC2001	文件：59.52 Kbytes Page：1 Pages	Plastic-EncapsulatedTransistors FEATURES Powerdissipation PCM:0.6W(Tamb=25℃) Collectorcurrent ICM:0.7A Collector-basevoltage V(BR)CBO:30V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃	TEL TRANSYS Electronics Limited	TEL
2SC2001	文件：41.27 Kbytes Page：1 Pages	MediumPowerAmplifiersandSwitches MediumPowerAmplifiersandSwitches TO-92Plastic-EncapsulateTransistors	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商未分类制造商	ETC1
2SC2001	文件：1.14724 Mbytes Page：2 Pages	TO-92Plastic-EncapsulateTransistors MediumPowerAmplifiersandSwitches TO-92Plastic-EncapsulateTransistors	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
2SC2001	文件：478.89 Kbytes Page：2 Pages	NPNPlasticEncapsulatedTransistor FEATURES ●HighhFEandlowVCE(sat) hFE(IC=100mA)：200(Typ) VCE(sat)(700mA)：0.2V(Typ)	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
2SC2001	文件：126.39 Kbytes Page：1 Pages	TRANSISTOR(NPN) FEATURES Powerdissipation PCM:0.6W(Tamb=25℃) Collectorcurrent ICM:0.7A Collector-basevoltage V(BR)CBO:30V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃	WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD 永而佳实业深圳市永而佳实业有限公司	WINNERJOIN
2SC2001	文件：802.77 Kbytes Page：5 Pages	TO-92Plastic-EncapsulateTransistors TRANSISTOR(NPN) FEATURES ●HighhFEandLowVCE(sat) hFE(IC=100mA):200(Typ) VCE(sat)(700mA):0.2V(Typ)	JIANGSU Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd	JIANGSU
2SC2001	文件：927.19 Kbytes Page：6 Pages	SiliconNPNtransistorinaTO-92PlasticPackage Descriptions SiliconNPNtransistorinaTO-92PlasticPackage. Features Hightotalpowerdissipation,lowVCE(sat)andhighhFE. Applications Outputstageofportableradioandcassettetypetaperecorder,generalpurposeapplications.	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司	FOSHAN
2SC2001	文件：286.7 Kbytes Page：2 Pages	TRANSISTOR(NPN) TRANSISTOR(NPN) FEATURES •HighhFEandlowVCE(sat) hFE(IC=100mA):200(Typ) VCE(sat)(700mA):0.2V(Typ)	KOOCHIN SHENZHEN KOO CHIN ELECTRONICS CO., LTD.	KOOCHIN
2SC2001	文件：215.58 Kbytes Page：1 Pages	TECHNICALSPECIFICATIONSOFNPNEPITAXIALPLANARTRANSISTOR TECHNICALSPECIFICATIONSOFNPNEPITAXIALPLANARTRANSISTOR Description Designedforgeneralpurposeapplications.	DCCOM Dc Components	DCCOM
2SC2001	文件：154.22 Kbytes Page：2 Pages	NPNSILICONTRANSISTOR DESCRIPTION The2SC2001isdesignedforuseinoutputstateofportableRADIOandcassettetypetaperecorder,generalpurposeapplications.	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
2SC2001-K	文件：309.6 Kbytes Page：2 Pages	NPNSiliconPlastic-EncapsulateTransistor	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
2SC2001-K	文件：222.82 Kbytes Page：2 Pages	NPNSiliconPlastic-EncapsulateTransistor Features ▪Capableof0.6WattsofPowerDissipation. ▪Collector-current0.7A ▪Collector-baseVoltage30V ▪Operatingandstoragejunctiontemperaturerange:-55°Cto+150°C ▪EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating ▪MoisureSensitivityLevel1 ▪Marking:C2001 ▪LeadFreeFinish/Rohs	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
2SC2001-L	文件：222.82 Kbytes Page：2 Pages	NPNSiliconPlastic-EncapsulateTransistor Features ▪Capableof0.6WattsofPowerDissipation. ▪Collector-current0.7A ▪Collector-baseVoltage30V ▪Operatingandstoragejunctiontemperaturerange:-55°Cto+150°C ▪EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating ▪MoisureSensitivityLevel1 ▪Marking:C2001 ▪LeadFreeFinish/Rohs	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
2SC2001-L	文件：309.6 Kbytes Page：2 Pages	NPNSiliconPlastic-EncapsulateTransistor	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
2SC2001-M	文件：309.6 Kbytes Page：2 Pages	NPNSiliconPlastic-EncapsulateTransistor	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
2SC2001-M	文件：222.82 Kbytes Page：2 Pages	NPNSiliconPlastic-EncapsulateTransistor Features ▪Capableof0.6WattsofPowerDissipation. ▪Collector-current0.7A ▪Collector-baseVoltage30V ▪Operatingandstoragejunctiontemperaturerange:-55°Cto+150°C ▪EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating ▪MoisureSensitivityLevel1 ▪Marking:C2001 ▪LeadFreeFinish/Rohs	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
ST2SC2001	文件：128.9 Kbytes Page：2 Pages	NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistor NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistor forswitchingandAFamplifierapplications. Thetransistorissubdividedintothreegroups,O,Y andG,accordingtoitsDCcurrentgain. Onspecialrequest,thesetransistorscanbe manufacturedindifferentpinconfigurations.	SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD. 先之科半导体先之科半导体科技（东莞）有限公司	SEMTECH_ELEC

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