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2SC1815	文件：212.87 Kbytes Page：3 Pages	SiliconNPNEpitaxailType(forAudioFrequencyGeneralPurposeAmplifierApplications) AudioFrequencyVoltageAmplifierApplications LowNoiseAmplifierApplications •Highbreakdownvoltage,highcurrentcapability :VCEO=50V(min),IC=150mA(max) •ExcellentlinearityofhFE :hFE(2)=100(typ.)atVCE=6V,IC=150mA :hFE(IC=0.1mA)/hFE(IC=2mA)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
2SC1815	文件：142.85 Kbytes Page：4 Pages	AudioFrequencyVoltageAmplifierApplicationsLowNoiseAmplifierApplications	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
2SC1815	文件：602.02 Kbytes Page：4 Pages	SiliconNPNEpitaxialType(PCTprocess) AudioFrequencyGeneralPurposeAmplifierApplications DriverStageAmplifierApplications •Highvoltageandhighcurrent: VCEO=50V(min), IC=150mA(max) •ExcellenthFElinearity:hFE(2)=100(typ.) atVCE=6V,IC=150mA :hFE(IC=0.1mA)/hFE(IC=2mA)=0.95(	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
2SC1815	文件：142.23 Kbytes Page：2 Pages	NPNTransistor Features ●Powerdissipation	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
2SC1815	文件：188.02 Kbytes Page：2 Pages	NPNTypePlasticEncapsulateTransistors FEATURES •PowerDissipation PCM:0.4W(Ta=25°C) •CollectorCurrent ICM:0.15A •Collector-BaseVoltage V(BR)CBO:60V	SECOS SeCoS Halbleitertechnologie GmbH	SECOS
2SC1815	文件：215.02 Kbytes Page：1 Pages	TECHNICALSPECIFICATIONSOFNPNEPITAXIALPLANARTRANSISTOR Description DesignedforuseindriverstageofAFamplifiergeneralpurposeamplification.	DCCOMDc Components 直流元件直流元件有限公司	DCCOM
2SC1815	文件：215.31 Kbytes Page：4 Pages	AUDIOFREQUENCYAMPLIFIERHIGHFREQUENCYOSCNPNTRANSISTOR	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
2SC1815	文件：49.3 Kbytes Page：3 Pages	NPNEPITAXIALPLANARTRANSISTOR Description The2SC1815isdesignedforuseindriverstageofAFamplifiergeneralpurposeamplification.	TGS Tiger Electronic Co.,Ltd	TGS
2SC1815	文件：168.25 Kbytes Page：2 Pages	NPNSILICONTRANSISTOR	MICRO-ELECTRONICS Micro Electronics	MICRO-ELECTRONICS
2SC1815	文件：279.37 Kbytes Page：4 Pages	AudioFrequencyGeneralPurposeAmplifierApplications AudioFrequencyVoltageAmplifierApplications LowNoiseAmplifierApplications •Highbreakdownvoltage,highcurrentcapability :VCEO=50V(min),IC=150mA(max) •ExcellentlinearityofhFE :hFE(2)=100(typ.)atVCE=6V,IC=150mA :hFE(IC=0.1mA)/hFE(IC=2mA)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
2SC1815	文件：1.94881 Mbytes Page：3 Pages	TO-92Plastic-EncapsulateTransistors TRANSISTOR(NPN) FEATURES ●Powerdissipation	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ
2SC1815	文件：172.65 Kbytes Page：4 Pages	SiliconEpitaxialPlanarTransistor FEATURES ●Highvoltageandhighcurrent VCEO=50V(Min),IC=150mA(Max). ●ExcellenthFElinearity: hFE(2)=100(Typ)atVCE=6V,IC=150mA hFE(IC=0.1mA)/hFE(IC=2mA=0.95(Typ)) ●Lownoise. ●Complementaryto2SA1015. APPLICATIONS ●Audiofrequencygeneralpurposeamplifierapplicati	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 世纪微电子常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
2SC1815	文件：235.34 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconNPNTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
2SC1815	文件：1.07537 Mbytes Page：2 Pages	SiliconEpitaxialPlanarTransistor FEATURES ●Highvoltageandhighcurrent VCEO=50V(Min),IC=150mA(Max). ●ExcellenthFElinearity:hFE(2)=100(Typ)atVCE=6V,IC=150mA hFE(IC=0.1mA)/hFE(IC=2mA=0.95(Typ)) ●Lownoise. ●Complementaryto2SA1015. APPLICATIONS ●Audiofrequencyg	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 鲁光电子深圳市鲁光电子科技有限公司	LUGUANG
2SC1815	文件：279.37 Kbytes Page：4 Pages	AudioFrequencyGeneralPurposeAmplifierApplications	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
2SC1815	文件：256.029 Kbytes Page：4 Pages	TOSHIBATransistorSiliconNPNEpitaxialType(PCTprocess) AudioFrequencyVoltageAmplifierApplications LowNoiseAmplifierApplications •Highbreakdownvoltage,highcurrentcapability :VCEO=50V(min),IC=150mA(max) •ExcellentlinearityofhFE :hFE(2)=100(typ.)atVCE=6V,IC=150mA :hFE(IC=0.1mA)/hFE(IC=2mA)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
2SC1815	文件：169.49 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconNPNTransistor DESCRIPTION •HighVoltageandHighCurrent Vceo=50V(Min.),Ic=150mA(Max) •ExcellenthFELinearity •LowNoise •ComplementtoType2SA1015(O,Y,GRclass) APPLICATIONS •AudiofrequencygeneralpurposeamplifierApplications •Driverstageamplifierapplications.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
2SC1815	文件：173.07 Kbytes Page：2 Pages	NPNEpitaxialPlanarTansistor NPNEpitaxialPlanarTansistor	FCI Amphenol ICC	FCI
2SC1815	文件：192.46 Kbytes Page：5 Pages	TO-92Plastic-EncapsulateTransistors TRANSISTOR(NPN) FEATURES ●Powerdissipation	JIANGSU Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd	JIANGSU
2SC1815	文件：243.05 Kbytes Page：2 Pages	TRANSISTOR(NPN) TRANSISTOR(NPN) FEATURES Powerdissipation	KOOCHIN SHENZHEN KOO CHIN ELECTRONICS CO., LTD.	KOOCHIN

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