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2SC1623F	文件：152.4 Kbytes Page：2 Pages	NPNEpitaxialPlanarTransistor DESCRIPTION The2SC1623FisdesignedforusedriverstageofAFamplifierandgeneralpurposeapplication.	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
2SC1623-HF	文件：522.429 Kbytes Page：5 Pages	GeneralPurposeTransistors Features -EpoxymeetsUL-94V-0flammability rating. -Surfacemountpackageideallysuitedfor automaticinsertion.	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP
2SC1623K	文件：284.39 Kbytes Page：3 Pages	NPNEpitaxialPlanarTransistor FEATURE •HighDCcurrentgain:hFE=200(Typ),VCE=6V,IC=1mA. •HighVoltage:VCEO=50V.	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
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2SC1623T	文件：1.54464 Mbytes Page：6 Pages	SiliconNPNtransistorinaSOT-89PlasticPackage Descriptions SiliconNPNtransistorinaSOT-89PlasticPackage. Features HighhFEandVCEO,complementarypairwith2SA812T. Applications Audiofrequencygeneralamplifierapplication.	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司	FOSHAN
2SC1623W	文件：213.05 Kbytes Page：4 Pages	NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistor	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 银河微电常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
2SC1623W	文件：1.11829 Mbytes Page：6 Pages	SiliconNPNtransistorinaSOT-323PlasticPackage Descriptions SiliconNPNtransistorinaSOT-323PlasticPackage. Features HighhFEandVCEO,complementarypairwith2SA812W. Applications Audiofrequencygeneralamplifierapplication.	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司	FOSHAN
2SC1623W	文件：193.08 Kbytes Page：4 Pages	NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistor FEATURES ●HighDCcurrentgain:hFE=200TYP. ●Highvoltage:VCEO=50V. ●Powerdissipation.(PC=200mW) APPLICATIONS ●Audiofrequencygeneralpurposeamplifier.	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 银河微电常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN

详细参数

型号：
2SC1623-A
制造商：
Renesas Electronics Corporation
功能描述：
SEMICONDUCTOR, DESCRETE, TRANSISTOR, NPN

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多2SC1623-A供应商更新时间2025-5-25 14:16:00

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