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2SB906-O	文件：1.34188 Mbytes Page：3 Pages	PNP Transistors	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
2SB906	文件：279.8 Kbytes Page：2 Pages	SiliconPNPPowerTransistor DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage- :V(BR)CEO=-60V(Min) ·DCCurrentGain- :hFE=60(Min)@IC=-0.5A ·Fastswitchingspeed ·Largecurrentcapacity APPLICATIONS ·Poweramplifierapplications ·Driverstageamplifierapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
2SB906	文件：298.85 Kbytes Page：2 Pages	SiliconPNPPowerTransistor DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage- :V(BR)CEO=-60V(Min) ·DCCurrentGain- :hFE=60(Min)@IC=-0.5A ·Fastswitchingspeed ·Largecurrentcapacity APPLICATIONS ·Poweramplifierapplications ·Driverstageamplifierapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
2SB906	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	BipolarSmall-SignalTransistors MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
2SB906	文件：164.49 Kbytes Page：4 Pages	AudioFrequencyPowerAmplifierApplication	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
2SB906	文件：39.41 Kbytes Page：1 Pages	SiliconPNPEpitaxial ■Features ●Lowcollectorsaturationvoltage ●Highpowerdissipation:PC=20W(Tc=25°C) ●Complementaryto2SD1221	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
2SB906	文件：160.7 Kbytes Page：4 Pages	AudioFrequencyPowerAmplifierApplication	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
2SB906	文件：150.53 Kbytes Page：3 Pages	TRANSISTOR(AUDIOFREQUENCYPOWERAMPLIFIERAPPLICATIONS) AudioFrequencyPowerAmplifierApplication •Lowcollectorsaturationvoltage:VCE(sat)=−1.0V(typ.)(IC=−3A,IB=−0.3A) •Highpowerdissipation:PC=20W(Tc=25°C) •Complementaryto2SD1221	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA

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