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2SB1642	文件：145.62 Kbytes Page：2 Pages	TRANSISTOR (AUDIO FREQUENCY POWER AMPLIFIER APPLICATIONS) 文件：145.62 Kbytes 页数：2 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SB1642	文件：169.81 Kbytes Page：4 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION • With TO-220F package • Low collector saturation voltage: VCE(SAT)=-1.5V(Max) at IC=-2.5A,IB=-0.25A • Collector power dissipation: PC=25W(TC=25°C) APPLICATIONS • Audio frequency power amplifier applications 文件：169.81 Kbytes 页数：4 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SB1642	文件：199.83 Kbytes Page：4 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION • With TO-220F package • Low collector saturation voltage: VCE(SAT)=-1.5V(Max) at IC=-2.5A,IB=-0.25A • Collector power dissipation: PC=25W(TC=25°C) APPLICATIONS • Audio frequency power amplifier applications 文件：199.83 Kbytes 页数：4 Pages	JMNIC 锦美电子	JMNIC
2SB1642	文件：68.96 Kbytes Page：2 Pages	Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION • Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= -60V(Min) • Collector Power Dissipation- : Pc= 25 W@ Tc= 25C • Low Collector Saturation Voltage- : VCE(satf -1.5V(Max)@ (lc= -2.5A, IB= -0.25A) APPLICATIONS • Designed for audio frequency power amplifier applications. 文件：68.96 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2SB1642	文件：247.49 Kbytes Page：4 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION • With TO-220F package • Low collector saturation voltage: VCE(SAT)=-1.5V(Max) at IC=-2.5A,IB=-0.25A • Collector power dissipation: PC=25W(TC=25°C) APPLICATIONS • Audio frequency power amplifier applications 文件：247.49 Kbytes 页数：4 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2SB1642	文件：249.17 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors 文件：249.17 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2SB1642	文件：300 bytes Page：1 Pages	Trans GP BJT PNP 60V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220NIS	NJS	NJS
2SB1642_15	文件：199.83 Kbytes Page：4 Pages	Silicon PNP Power Transistors 文件：199.83 Kbytes 页数：4 Pages	JMNIC 锦美电子	JMNIC
2SB1642_2014	文件：199.83 Kbytes Page：4 Pages	Silicon PNP Power Transistors 文件：199.83 Kbytes 页数：4 Pages	JMNIC 锦美电子	JMNIC

技术参数

Maximum Transition Frequency：
9(Typ)MHz
Maximum Power Dissipation：
25000mW
Maximum Operating Temperature：
150°C
Maximum Emitter Base Voltage：
7V
Maximum DC Collector Current：
4A
Maximum Collector Emitter Voltage：
60V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage：
1.5@0.25A@2.5AV
Maximum Collector Base Voltage：
60V
Material：
Si
Configuration：
Single
Category：
Bipolar Power

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多2SB1642供应商更新时间2025-11-20 14:09:00

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