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2SB1260T100R分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

厂商型号 |
2SB1260T100R |
参数属性 | 2SB1260T100R 封装/外壳为TO-243AA;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS PNP 80V 1A MPT3 |
功能描述 | Power Transistor (??0V, ??A) |
封装外壳 | TO-243AA |
文件大小 |
92.25 Kbytes |
页面数量 |
3 页 |
生产厂商 | Rohm |
企业简称 |
ROHM【罗姆】 |
中文名称 | 罗姆半导体集团官网 |
原厂标识 | ![]() |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-7-5 8:36:00 |
人工找货 | 2SB1260T100R价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货 |
2SB1260T100R规格书详情
Features
1) High breakdown voltage and high current. BVCEO= −80V, IC=−1A
2) Good hFE linearity.
3) Low VCE(sat).
4) Complements the 2SD1898 / 2SD1863 / 2SD1733.
产品属性
- 产品编号:
2SB1260T100R
- 制造商:
Rohm Semiconductor
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
- 包装:
卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 晶体管类型:
PNP
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):
400mV @ 50mA,500mA
- 电流 - 集电极截止(最大值):
1µA(ICBO)
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
180 @ 100mA,3V
- 频率 - 跃迁:
100MHz
- 工作温度:
150°C(TJ)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
TO-243AA
- 供应商器件封装:
MPT3
- 描述:
TRANS PNP 80V 1A MPT3
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ROHM/罗姆 |
2223+ |
SOT-89 |
26800 |
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询价 | ||
ROHM/罗姆 |
24+ |
SOT-89 |
1500 |
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ROHM/罗姆 |
21+ |
SOT-89 |
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ROHM |
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rohm |
24+ |
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ROHM/罗姆 |
24+ |
SOT89 |
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ROHM(罗姆) |
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SOT89 |
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ROHM/罗姆 |
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SOT89 |
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ROHM/罗姆 |
24+ |
SOT89 |
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ROHM/罗姆 |
2022+ |
MPT3 |
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