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2SB1124-T	文件：1.602 Mbytes Page：3 Pages	PNP Transistors 文件：1.602 Mbytes 页数：3 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
2SB1124-T	文件：300 bytes Page：1 Pages	-50V,-3A,General Purpose PNP Bipolar Transistor	Galaxy 银河微电	Galaxy
2SB1124-U	文件：1.602 Mbytes Page：3 Pages	PNP Transistors 文件：1.602 Mbytes 页数：3 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
2SB1124	文件：355.64 Kbytes Page：7 Pages	Bipolar Transistor -50V, -3A, Low VCEsat, PNP,NPN Single PCP Bipolar Transistor (–)50V, (–)3A, Low VCE(sat), (PNP)NPN Single PCP Features • Adoption of FBET, MBIT processes • Low collector-to-emitter saturation voltage • Fast switching speed • Large current capacity and wide ASO Applications • Voltage regulators, relay drivers, lamp drivers, electri 文件：355.64 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2SB1124	文件：58.2 Kbytes Page：2 Pages	PNP Epitaxial Planar Silicon Transistors ■ Features ● Low collector-to-emitter saturation voltage. ● Large current capacity and wide ASO. ● Fast switching speed. ● Complementary to 2SD1624 文件：58.2 Kbytes 页数：2 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
2SB1124	文件：122.6 Kbytes Page：4 Pages	High-Current Switching Applications High Current Switching Applications Features • Adoption of FBET, MBIT processes. • Low collector-to-emitter saturation voltage. • Fast switching speed. • Large current capacity and wide ASO. Applications • Voltage regulators, relay drivers, lamp drivers, electrical equipment. 文件：122.6 Kbytes 页数：4 Pages	SANYO 三洋	SANYO

技术参数

AEC Qualified：
NO
Pb Free：
YES
Halide free：
YES
Reach：
YES
RoHS：
YES
Marketing Status：
Active
Polarity：
PNP
V(BR)CEO(V)min.：
-50
IC(A)：
-3
hFEmin.：
200
hFEmax.：
400
VCE (sat)(V)：
-0.7
IB(mA)：
-100
fT(MHz)min.：
150(typ)
PD(W)max.：
1
TJ(°C)max.：
150
TJ(°C)min.：
-55
ECCN(US)：
EAR99
Category：
双极型晶体管

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更多2SB1124-T供应商更新时间2025-10-6 10:12:00

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