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2SB1122S-TD-E分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

2SB1122S-TD-E
厂商型号

2SB1122S-TD-E

参数属性

2SB1122S-TD-E 封装/外壳为TO-243AA;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS PNP 50V 1A PCP

功能描述

Low-Frequency Power Amplifier Applications

封装外壳

TO-243AA

文件大小

94.91 Kbytes

页面数量

5

生产厂商 Sanyo Semicon Device
企业简称

SANYO三洋

中文名称

三洋电机株式会社官网

原厂标识
SANYO
数据手册

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更新时间

2025-8-3 23:00:00

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产品属性

  • 产品编号:

    2SB1122S-TD-E

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    PNP

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    500mV @ 50mA,500mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    100nA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    100 @ 100mA,2V

  • 频率 - 跃迁:

    150MHz

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-243AA

  • 供应商器件封装:

    PCP

  • 描述:

    TRANS PNP 50V 1A PCP

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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