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2SAR582D3	文件：300 bytes Page：1 Pages	PNP -10A -30V 功率晶体管低VCE(sat)功率晶体管。适合低频放大用途。 • Suitable for Power Driver.\n• Complementary NPN Types : 2SCR582D3\n• Low VCE(sat): VCE(sat)=-400mV(Max.). (IC/IB=-4A/-200mA);	ROHM 罗姆	ROHM
2SAR582D3	文件：1.74292 Mbytes Page：11 Pages	丝印：2SAR582D3；Package：TO-252；PNP -10A -30V Power Transistor 文件：1.74292 Mbytes 页数：11 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
2SAR582D3FRA	文件：300 bytes Page：1 Pages	PNP, TO-252 (DPAK), -10V -30A, Power Transistor for Automotive 2SAR582D3FRA is a power transistor with Low VCE(sat), suitable for low frequency amplifier. It is a highly reliable product for automotive. • Suitable for Power Driver.\n• Complementary NPN Types : 2SCR582D3FRA.\n• Low VCE(sat)\nVCE(sat)=-400mV(Max.) (IC/IB=-4A/-200mA);	ROHM 罗姆	ROHM
2SAR582D3TL1	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63；包装：散装类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 30V 10A TO252	Rohm Semiconductor	Rohm Semiconductor

技术参数

封装：
TO-252
包装数量：
2500
最小独立包装数量：
2500
包装形态：
Taping
RoHS：
Yes
Package Code：
TO-252 (DPAK)
JEITA Package：
SC-63
Number of terminal：
3
Polarity：
PNP
Collector Power dissipation PC[W]：
10
Collector-Emitter voltage VCEO1[V]：
-30
Collector current Io(Ic) [A]：
-10
hFE：
200 to 500
hFE (Min.)：
200
hFE (Max.)：
500
Mounting Style：
Surface mount
Storage Temperature (Min.)[°C]：
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]：
150
Package Size [mm]：
6.6x10.0 (t=2.4)

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更多2SAR582D3供应商更新时间2025-10-5 14:01:00

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