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2SAR512R	文件：1.60519 Mbytes Page：10 Pages	PNP -2.0A -30V Middle Power Transistor 文件：1.60519 Mbytes 页数：10 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
2SAR512RHZG	文件：1.55009 Mbytes Page：9 Pages	丝印：MB；Package：SOT-346T；PNP -2.0A -30V Middle Power Transistor Features 1)Suitable for Middle Power Driver 2)Complementary NPN Types:2SCR512R HZG 3)Low VCE(sat) VCE(sat)=-400mV(Max.) (IC/IB=-700mA/-35mA) 4)AEC-Q101 Qualified Application LOW FREQUENCY AMPLIFIER, HIGH SPEED SWITCHING 文件：1.55009 Mbytes 页数：9 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
2SAR512R	文件：300 bytes Page：1 Pages	Driver Transistor 根据市场需求，提供从超小型到功率型的封装，以节能高可靠性为开发理念的多种产品线。 •启动用表面安装型三极管;	ROHM 罗姆	ROHM
2SAR512RHZG	文件：300 bytes Page：1 Pages	PNP, SOT-346T, -30V -2A, 车载用中等功率放大用晶体管 2SAR512RHZG是一款低VCE(sat)晶体管，非常适用于低频放大应用，是符合AEC-Q101标准的车规级高可靠性产品。 • Suitable for Middle Power Driver\n• Complementary NPN Types:2SCR512RHZG\n• Low saturation voltage, typically\nVCE(sat)=-400mV(Max.) (IC/IB=-700mA/-35mA)\n• AEC-Q101 Qualified;	ROHM 罗姆	ROHM
2SAR512RHZGTL	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：SC-96；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 30V 2A TSMT3	Rohm Semiconductor	Rohm Semiconductor
2SAR512RTL	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：SC-96；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 30V 2A TSMT3	Rohm Semiconductor	Rohm Semiconductor

技术参数

封装：
TSMT3
包装数量：
3000
最小独立包装数量：
3000
包装形态：
Taping
RoHS：
Yes
Package Code：
SOT-346T
JEITA Package：
SC-96
Number of terminal：
3
Polarity：
PNP
Collector Power dissipation PC[W]：
0.5
Collector-Emitter voltage VCEO1[V]：
-30
Collector current Io(Ic) [A]：
-2
hFE：
200 to 500
hFE (Min.)：
200
hFE (Max.)：
500
Mounting Style：
Surface mount
Storage Temperature (Min.)[°C]：
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]：
150
Package Size [mm]：
2.9x2.8 (t=1)

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更多2SAR512R供应商更新时间2025-10-4 14:00:00

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