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2SA733-Q	文件：445.14 Kbytes Page：2 Pages	PNP Silicon Plastic-Encapsulate Transistor Features •Capableof0.25WattsofPowerDissipation. •Collector-current0.1A •Collector-baseVoltage60V •Operatingandstoragejunctiontemperaturerange:-55℃to+150℃ •EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating •MoisureSensitivityLevel1 •LeadFreeFinish/RohsCompliant(PSuffix	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
2SA733-Q	文件：411.6 Kbytes Page：2 Pages	PNP Silicon Plastic-Encapsulate Transistor	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
2SA733-Q-AP	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）成形引线；包装：带盒（TB）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 50V 0.1A TO92	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
2SA733-R	文件：411.6 Kbytes Page：2 Pages	PNPSiliconPlastic-EncapsulateTransistor	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
2SA733-R	文件：445.14 Kbytes Page：2 Pages	PNPSiliconPlastic-EncapsulateTransistor Features •Capableof0.25WattsofPowerDissipation. •Collector-current0.1A •Collector-baseVoltage60V •Operatingandstoragejunctiontemperaturerange:-55℃to+150℃ •EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating •MoisureSensitivityLevel1 •LeadFreeFinish/RohsCompliant(PSuffix	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
2SA733T	文件：293.58 Kbytes Page：2 Pages	PNPPlasticEncapsulatedTransistor FEATURES Powerdissipation PACKAGEINFORMATION Weight:0.2100g(Approximately)	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
2SA733T-L	文件：959.85 Kbytes Page：7 Pages	LowFrequencyAmplifierPNPEpitaxialSiliconTransistor	FUTUREWAFER FutureWafer Tech Co.,Ltd	FUTUREWAFER
2SA733T-O	文件：959.85 Kbytes Page：7 Pages	LowFrequencyAmplifierPNPEpitaxialSiliconTransistor	FUTUREWAFER FutureWafer Tech Co.,Ltd	FUTUREWAFER
2SA733T-P	文件：959.85 Kbytes Page：7 Pages	LowFrequencyAmplifierPNPEpitaxialSiliconTransistor	FUTUREWAFER FutureWafer Tech Co.,Ltd	FUTUREWAFER
2SA733T-R	文件：959.85 Kbytes Page：7 Pages	LowFrequencyAmplifierPNPEpitaxialSiliconTransistor	FUTUREWAFER FutureWafer Tech Co.,Ltd	FUTUREWAFER

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更多2SA733-Q供应商更新时间2025-7-21 16:30:00

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