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2SA1986	文件：213.18 Kbytes Page：4 Pages	SiliconPNPPowerTransistors	JMNICQuanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd. 锦美电子泉州锦美电子有限公司	JMNIC
2SA1986	文件：75.85 Kbytes Page：2 Pages	SiliconPNPPowerTransistor DESCRIPTION •HighCurrentCapability •HighPowerDissipation •HighCollector-EmitterBreakdownVoltage- :V(BR)CEO=-230V(Min) •ComplementtoType2SC5358 APPLICATIONS •Poweramplifierapplications •RecommendforSOWhighfidelityaudiofrequencyamplifieroutput	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
2SA1986	文件：183.57 Kbytes Page：4 Pages	SiliconPNPPowerTransistors DESCRIPTION ·WithTO-3P(I)package ·Complementtotype2SC5358 APPLICATIONS ·Poweramplifierapplications ·Recommendfor80Whighfidelityaudiofrequencyamplifieroutputstage	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
2SA1986	文件：136.65 Kbytes Page：4 Pages	PowerAmplifierApplications	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
2SA1986	文件：173.93 Kbytes Page：4 Pages	SiliconPNPPowerTransistors DESCRIPTION ·WithTO-3P(I)package ·Complementtotype2SC5358 APPLICATIONS ·Poweramplifierapplications ·Recommendfor80Whighfidelityaudiofrequencyamplifieroutputstage	SAVANTIC Savantic, Inc.	SAVANTIC
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2SA1986	文件：150 Kbytes Page：2 Pages	TRANSISTOR(POWERAMPLIFIERAPPLICATIONS) PowerAmplifierApplications •Highbreakdownvoltage:VCEO=−230V(min) •Complementaryto2SC5358 •Recommendedfor80-Whigh-fidelityaudiofrequencyamplifieroutputstage	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA

详细参数

型号：
2SA1986-R
制造商：
Toshiba America Electronic Components

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更多2SA1986-R供应商更新时间2025-5-22 18:05:00

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