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2SA1607-HF	文件：1.05145 Mbytes Page：3 Pages	PNP Transistors Features ● Fast switching speed. ● High gain-bandwidth product. ● Low saturation voltage. ● Complementary to 2SC4168-HF ● Pb−Free Package May be Available. The G−Suffix Denotes a Pb−Free Lead Finish 文件：1.05145 Mbytes 页数：3 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
2SA1607-YL3-HF	文件：1.05145 Mbytes Page：3 Pages	PNP Transistors Features ● Fast switching speed. ● High gain-bandwidth product. ● Low saturation voltage. ● Complementary to 2SC4168-HF ● Pb−Free Package May be Available. The G−Suffix Denotes a Pb−Free Lead Finish 文件：1.05145 Mbytes 页数：3 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
2SA1607-YL4-HF	文件：1.05145 Mbytes Page：3 Pages	PNP Transistors Features ● Fast switching speed. ● High gain-bandwidth product. ● Low saturation voltage. ● Complementary to 2SC4168-HF ● Pb−Free Package May be Available. The G−Suffix Denotes a Pb−Free Lead Finish 文件：1.05145 Mbytes 页数：3 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
2SA1608	文件：48.22 Kbytes Page：1 Pages	PNP Silicon Epitaxia ■ Features ● High fT : fT=400MHz ● Complementary to 2SC3739 文件：48.22 Kbytes 页数：1 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
2SA1608	文件：306.94 Kbytes Page：4 Pages	HIGH FREQUENCY AMPLIFIER AND SWITCHING PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR FEATURES ● High fT : fT = 400 MHz ● Complementary to 2SC3739 文件：306.94 Kbytes 页数：4 Pages	NEC 瑞萨	NEC
2SA1609	文件：288.47 Kbytes Page：6 Pages	SILICON TRANSISTOR HIGH VOLTAGE AMPLIFIER PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR 文件：288.47 Kbytes 页数：6 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SA1610	文件：415.68 Kbytes Page：6 Pages	SILICON TRANSISTOR HIGH SPEED SWITCHING PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR 文件：415.68 Kbytes 页数：6 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SA1610	文件：271.94 Kbytes Page：4 Pages	HIGH SPEED SWITCHING PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR HIGH SPEED SWITCHING PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR 文件：271.94 Kbytes 页数：4 Pages	NEC 瑞萨	NEC
2SA1611	文件：322.72 Kbytes Page：6 Pages	SILICON TRANSISTOR AUDIO FREQUENCY, GENERAL PURPOSE AMPLIFIER PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR 文件：322.72 Kbytes 页数：6 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SA1611	文件：194.83 Kbytes Page：4 Pages	AUDIO FREQUENCY GENERAL PURPOSE AMPLIFIER PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR FEATURES ● Complementary to 2SC4177 ● High DC Current Gain: hFE = 200 TYP. (VCE = -6.0 V, Ic = -1.0 mA) ● High Voltage: VCEO = -50 VCE 文件：194.83 Kbytes 页数：4 Pages	NEC 瑞萨	NEC

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晶体管资料

型号：
2SA1625
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-PNP
性质：
低频或音频放大（LF）_开关管（S）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
400V
最大电流允许值：
0.5A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
2SA1018,2SB1074,2SB1488,
最大耗散功率：
0.75W
放大倍数：
图片代号：
A-20
vtest：
400
htest：
999900
atest：
0.5
wtest：
0.75

技术参数

VCEO (V)：
400
hFE min.：
40
hFE max.：
200
Pc (W)：
0.75
Production Status：
EOL

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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