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2SA1593T-E	文件：385.87 Kbytes Page：9 Pages	Bipolar Transistor Adoption of FBET, MBIT processes Features •AdoptionofFBET,MBITprocesses •Highbreakdownvoltageandlargecurrentcapacity •Fastswitchingspeed •Smallandslimpackagepermitting 2SA1593/2SC4135-appliedsetstobemademorecompact Applications •Powersupplies,relayderivers,lampdrivers	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
2SA1593T-TL-E	文件：385.87 Kbytes Page：9 Pages	Bipolar Transistor Adoption of FBET, MBIT processes Features •AdoptionofFBET,MBITprocesses •Highbreakdownvoltageandlargecurrentcapacity •Fastswitchingspeed •Smallandslimpackagepermitting 2SA1593/2SC4135-appliedsetstobemademorecompact Applications •Powersupplies,relayderivers,lampdrivers	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
2SA1593T-E	文件：385.87 Kbytes Page：9 Pages	Bipolar Transistor	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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2SA1593T-E	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 100V 2A TP	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
2SA1593T-TL-E	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 100V 2A TP-FA	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
2SA1593	文件：128.9 Kbytes Page：4 Pages	High-VoltageSwitchingApplications High-VoltageSwitchingApplications Features •AdoptionofFBET,MBITprocesses. •Highbreakdownvoltageandlargecurrentcapacity. •Fastswitchingspeed. •Smallandslimpackagepermitting2SA1593/2SC4135-appliedsetstobemademorecompact. Applications •Powersupplies	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋电机株式会社	SANYO
2SA1593	文件：304.08 Kbytes Page：3 Pages	SiliconPNPPowerTransistor DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage- :V(BR)CEO=-120V(Min) ·DCCurrentGain- :hFE=100(Min)@IC=-0.1A ·Ultrahigh-speedswitching ·Complementaryto2SC4135 APPLICATIONS ·Powersupplies,relaydrivers,lampdrivers	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
2SA1593	文件：323.12 Kbytes Page：3 Pages	SiliconPNPPowerTransistor DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage- :V(BR)CEO=-120V(Min) ·DCCurrentGain- :hFE=100(Min)@IC=-0.1A ·Ultrahigh-speedswitching ·Complementaryto2SC4135 APPLICATIONS ·Powersupplies,relaydrivers,lampdrivers	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
2SA1593	文件：339.09 Kbytes Page：3 Pages	iscSiliconPNPPowerTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

产品属性

产品编号：
2SA1593T-E
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
600mV @ 100mA，1A
电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
200 @ 100mA，5V
频率 - 跃迁：
120MHz
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA
供应商器件封装：
TP
描述：
TRANS PNP 100V 2A TP

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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