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2SA1312BL	文件：314.51 Kbytes Page：5 Pages	Audio Frequency Low Noise Amplifier Applications AudioFrequencyLowNoiseAmplifierApplications •Highvoltage:VCEO=−120V •ExcellenthFElinearity:hFE(IC=−0.1mA)/hFE(IC=−2mA)h=0.95(typ.) •HighhFE:hFE=200~700 •Lownoise:NF(2)=0.2dB(typ.),3dB(max)atf=1kHz •Complementaryto2SC3324 •Smallpackage	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
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2SA1312	文件：314.51 Kbytes Page：5 Pages	AudioFrequencyLowNoiseAmplifierApplications AudioFrequencyLowNoiseAmplifierApplications •Highvoltage:VCEO=−120V •ExcellenthFElinearity:hFE(IC=−0.1mA)/hFE(IC=−2mA)h=0.95(typ.) •HighhFE:hFE=200~700 •Lownoise:NF(2)=0.2dB(typ.),3dB(max)atf=1kHz •Complementaryto2SC3324 •Smallpackage	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
2SA1312	文件：36.32 Kbytes Page：1 Pages	SiliconPNPEpitaxialType Features ●Highvoltage. ●HighhFE. ●Lownoise. ●Smallpackage.	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
2SA1312	文件：622.31 Kbytes Page：5 Pages	AudioFrequencyLowNoiseAmplifierApplications	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
2SA1312	文件：215.95 Kbytes Page：3 Pages	TRANSISTOR(AUDIOFREQUENCYLOWNOISEAMPLIFIERAPPLICATIONS) AudioFrequencyLowNoiseAmplifierApplications •Highvoltage:VCEO=−120V •ExcellenthFElinearity:hFE(IC=−0.1mA)/hFE(IC=−2mA)h=0.95(typ.) •HighhFE:hFE=200~700 •Lownoise:NF(2)=0.2dB(typ.),3dB(max)atf=1kHz •Complementaryto2SC3324 •Smallpackage	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
2SA1312-GR	文件：314.51 Kbytes Page：5 Pages	AudioFrequencyLowNoiseAmplifierApplications AudioFrequencyLowNoiseAmplifierApplications •Highvoltage:VCEO=−120V •ExcellenthFElinearity:hFE(IC=−0.1mA)/hFE(IC=−2mA)h=0.95(typ.) •HighhFE:hFE=200~700 •Lownoise:NF(2)=0.2dB(typ.),3dB(max)atf=1kHz •Complementaryto2SC3324 •Smallpackage	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA

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