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2SA1312分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

2SA1312
厂商型号

2SA1312

参数属性

2SA1312 封装/外壳为TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS PNP 120V 0.1A SMINI

功能描述

Audio Frequency Low Noise Amplifier Applications

封装外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

文件大小

314.51 Kbytes

页面数量

5

生产厂商 Toshiba Semiconductor
企业简称

TOSHIBA东芝

中文名称

株式会社东芝官网

原厂标识
TOSHIBA
数据手册

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更新时间

2025-8-4 13:31:00

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2SA1312规格书详情

Audio Frequency Low Noise Amplifier Applications

• High voltage: VCEO= −120 V

• Excellent hFElinearity: hFE(IC= −0.1 mA)/ hFE(IC= −2 mA) h= 0.95 (typ.)

• High hFE: hFE= 200~700

• Low noise: NF (2) = 0.2dB (typ.), 3dB (max) at f = 1 kHz

• Complementary to 2SC3324

• Small package

产品属性

  • 产品编号:

    2SA1312GRTE85LF

  • 制造商:

    Toshiba Semiconductor and Storage

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    PNP

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    300mV @ 1mA,10mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    100nA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    200 @ 2mA,6V

  • 频率 - 跃迁:

    100MHz

  • 工作温度:

    125°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供应商器件封装:

    S-Mini

  • 描述:

    TRANS PNP 120V 0.1A SMINI

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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