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2SA1160	文件：64.69 Kbytes Page：1 Pages	Plastic-EncapsulatedTransistors TRANSISTOR(PNP) FEATURE PowerdissipationPCM:0.9W(Tamb=25℃) CollectorcurrentICM:-2A Collector-basevoltageV(BR)CBO:-20V OperatingandstoragejunctiontemperaturerangeTJ,Tstg:-55℃to+150℃	TEL TRANSYS Electronics Limited	TEL
2SA1160	文件：150.17 Kbytes Page：4 Pages	StrobeFlashApplicationsMediumPowerAmplifierApplications	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
2SA1160	文件：153.24 Kbytes Page：2 Pages	TRANSISTOR(STROBEFLASH,MEDIUMPOWERAMPLIFIERAPPLICATIONS) StrobeFlashApplications MediumPowerAmplifierApplications •HighDCcurrentgainandexcellenthFElinearity :hFE(1)=140to600(VCE=−1V,IC=−0.5A) :hFE(2)=60(min),120(typ.)(VCE=−1V,IC=−4A) •Lowsaturationvoltage :VCE(sat)=−0.5V(max)(IC=−2	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
2SA1160	文件：162.95 Kbytes Page：4 Pages	StrobeFlashApplicationsMediumPowerAmplifierApplications	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
2SA1160	文件：4.5647 Mbytes Page：3 Pages	TO-92LPlastic-EncapsulateTransistors TRANSISTOR(PNP) FEATURES ●HighDCCurrentGainandExcellenthFELinearity ●LowSaturationVoltage	JIANGSU Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd	JIANGSU
2SA1160	文件：844.52 Kbytes Page：6 Pages	SiliconPNPtransistorinaTO-92LMPlasticPackage Descriptions SiliconPNPtransistorinaTO-92LMPlasticPackage Features HighDCcurrentgainandexcellenthFElinearity,lowsaturationvoltage. Applications Strobeflash,mediumpoweramplifierapplications.	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司	FOSHAN
2SA1160	文件：131.81 Kbytes Page：1 Pages	TRANSISTOR(PNP) FEATURE PowerdissipationPCM:0.9W(Tamb=25℃) CollectorcurrentICM:-2A Collector-basevoltageV(BR)CBO:-20V OperatingandstoragejunctiontemperaturerangeTJ,Tstg:-55℃to+150℃	WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD 永而佳实业深圳市永而佳实业有限公司	WINNERJOIN

详细参数

型号：
2SA1160B(F)
制造商：
Toshiba America Electronic Components

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更多2SA1160B(F)供应商更新时间2024-5-28 9:10:00

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