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2PC4617	文件：41.24 Kbytes Page：8 Pages	NPN general purpose transistor DESCRIPTION NPNtransistorinanSC-75plasticpackage. PNPcomplement:2PA1774. FEATURES •Lowcurrent(max.100mA) •Lowvoltage(max.50V). APPLICATIONS •Generalpurposeswitchingandamplificationincommunication,electronicdataprocessing(EDP)andconsumerapplications.	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
2PC4617	文件：205.54 Kbytes Page：8 Pages	NPN general-purpose transistor Features Lowcurrent(max.150mA) Lowvoltage(max.50V)	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
2PC4617J	文件：40.2 Kbytes Page：8 Pages	NPN general purpose transistor DESCRIPTION NPNtransistorencapsulatedinanultrasmallplasticSMDSC-89(SOT490)package. PNPcomplement:2PA1774J. FEATURES •PowerdissipationcomparabletoSOT23 •Lowoutputcapacitance •LowsaturationvoltageVCEsat •Lowcurrent(max.100mA) •Lowvoltage(max	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
2PC4617JQ	文件：40.2 Kbytes Page：8 Pages	NPN general purpose transistor DESCRIPTION NPNtransistorencapsulatedinanultrasmallplasticSMDSC-89(SOT490)package. PNPcomplement:2PA1774J. FEATURES •PowerdissipationcomparabletoSOT23 •Lowoutputcapacitance •LowsaturationvoltageVCEsat •Lowcurrent(max.100mA) •Lowvoltage(max	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
2PC4617JR	文件：40.2 Kbytes Page：8 Pages	NPN general purpose transistor DESCRIPTION NPNtransistorencapsulatedinanultrasmallplasticSMDSC-89(SOT490)package. PNPcomplement:2PA1774J. FEATURES •PowerdissipationcomparabletoSOT23 •Lowoutputcapacitance •LowsaturationvoltageVCEsat •Lowcurrent(max.100mA) •Lowvoltage(max	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
2PC4617JS	文件：40.2 Kbytes Page：8 Pages	NPN general purpose transistor DESCRIPTION NPNtransistorencapsulatedinanultrasmallplasticSMDSC-89(SOT490)package. PNPcomplement:2PA1774J. FEATURES •PowerdissipationcomparabletoSOT23 •Lowoutputcapacitance •LowsaturationvoltageVCEsat •Lowcurrent(max.100mA) •Lowvoltage(max	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
2PC4617M	文件：46.13 Kbytes Page：6 Pages	NPN general purpose transistors DESCRIPTION NPNgeneralpurposetransistorinaSOT883leadlessultrasmallplasticpackage. PNPcomplement:2PA1776Mseries. FEATURES •Leadlessultrasmallplasticpackage(1mm×0.6mm×0.5mm) •Boardspace1.3×0.9mm •PowerdissipationcomparabletoSOT23. APPLICATIONS •General	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
2PC4617M	文件：396.63 Kbytes Page：7 Pages	NPN general purpose transistors FEATURES •Leadlessultrasmallplasticpackage(1mm×0.6mm×0.5mm) •Boardspace1.3×0.9mm •PowerdissipationcomparabletoSOT23.	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
2PC4617M_SER	文件：396.61 Kbytes Page：7 Pages	NPN general purpose transistors FEATURES •Leadlessultrasmallplasticpackage(1mm×0.6mm×0.5mm) •Boardspace1.3×0.9mm •PowerdissipationcomparabletoSOT23. APPLICATIONS •GeneralpurposesmallsignalDCapplications •LowandmediumfrequencyACapplications •Mobilecommunications,digital(still)cameras,PDA	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
2PC4617M_SERIES	文件：396.63 Kbytes Page：7 Pages	NPN general purpose transistors FEATURES •Leadlessultrasmallplasticpackage(1mm×0.6mm×0.5mm) •Boardspace1.3×0.9mm •PowerdissipationcomparabletoSOT23.	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA

详细参数

型号：
2PC4617
功能描述：
两极晶体管 - BJT TRANS GP TAPE-7
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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