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2N7002V-7	文件：75.41 Kbytes Page：3 Pages	DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Features •DualN-ChannelMOSFET •LowOn-Resistance •LowGateThresholdVoltage •LowInputCapacitance •FastSwitchingSpeed •LowInput/OutputLeakage •Ultra-SmallSurfaceMountPackage •LeadFreeByDesign/RoHSCompliant(Note2) •QualifiedtoAEC-Q101StandardsforHighReliabil	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技
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2N7002V-7

文件：75.41 Kbytes

Page：3 Pages

DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR

Features •DualN-ChannelMOSFET •LowOn-Resistance •LowGateThresholdVoltage •LowInputCapacitance •FastSwitchingSpeed •LowInput/OutputLeakage •Ultra-SmallSurfaceMountPackage •LeadFreeByDesign/RoHSCompliant(Note2) •QualifiedtoAEC-Q101StandardsforHighReliabil

DIODESDiodes Incorporated

达尔科技

2N7002V-7

文件：87.8 Kbytes

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DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR

DIODESDiodes Incorporated

达尔科技

2N7002V-7-L

文件：87.8 Kbytes

Page：3 Pages

DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR

DIODESDiodes Incorporated

达尔科技

详细参数

型号：
2N7002V-7
功能描述：
MOSFET 60V 150mW
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多2N7002V-7供应商更新时间2024-4-27 16:30:00

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