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2N7002分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个规格书PDF中文资料

2N7002
厂商型号

2N7002

参数属性

2N7002 封装/外壳为SC-70,SOT-323;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个;产品描述:MOSFET N-CH 60V 0.115A SC70

功能描述

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
MOSFET N-CH 60V 0.115A SC70

丝印标识

702

封装外壳

SOT-23 / SC-70,SOT-323

文件大小

372.34 Kbytes

页面数量

13

生产厂商 ON Semiconductor
企业简称

ONSEMI安森美半导体

中文名称

安森美半导体公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-6-27 12:48:00

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2N7002规格书详情

2N7002属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个。由安森美半导体公司制造生产的2N7002晶体管 - FET,MOSFET - 单个分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。

Description

These N−channel enhancement mode field effect transistors are

produced using onsemi’s proprietary, high cell density, DMOS

technology. These products have been designed to minimize on−state

resistance while providing rugged, reliable, and fast switching

performance. These products are particularly suited for low−voltage,

low−current applications, such as small servo motor control, power

MOSFET gate drivers, and other switching applications.

Features

• High Density Cell Design for Low RDS(on)

• Voltage Controlled Small Signal Switch

• Rugged and Reliable

• High Saturation Current Capability

• ESD Protection Level: HBM > 100 V, CDM > 2 kV

• This Device is Pb−Free and Halogen Free

产品属性

更多
  • 产品编号:

    2N7002WST1G

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 单个

  • 包装:

    管件

  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):

    310mA(Ta)

  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):

    4.5V,10V

  • Vgs(最大值):

    ±20V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 供应商器件封装:

    SC-70-3(SOT323)

  • 封装/外壳:

    SC-70,SOT-323

  • 描述:

    MOSFET N-CH 60V 0.115A SC70

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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