2N7002分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个规格书PDF中文资料

厂商型号 |
2N7002 |
参数属性 | 2N7002 封装/外壳为SC-70,SOT-323;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个;产品描述:MOSFET N-CH 60V 0.115A SC70 |
功能描述 | N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
丝印标识 | |
封装外壳 | SOT-23 / SC-70,SOT-323 |
文件大小 |
372.34 Kbytes |
页面数量 |
13 页 |
生产厂商 | ON Semiconductor |
企业简称 |
ONSEMI【安森美半导体】 |
中文名称 | 安森美半导体公司官网 |
原厂标识 | ![]() |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-6-27 12:48:00 |
人工找货 | 2N7002价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货 |
2N7002规格书详情
2N7002属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个。由安森美半导体公司制造生产的2N7002晶体管 - FET,MOSFET - 单个分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。
Description
These N−channel enhancement mode field effect transistors are
produced using onsemi’s proprietary, high cell density, DMOS
technology. These products have been designed to minimize on−state
resistance while providing rugged, reliable, and fast switching
performance. These products are particularly suited for low−voltage,
low−current applications, such as small servo motor control, power
MOSFET gate drivers, and other switching applications.
Features
• High Density Cell Design for Low RDS(on)
• Voltage Controlled Small Signal Switch
• Rugged and Reliable
• High Saturation Current Capability
• ESD Protection Level: HBM > 100 V, CDM > 2 kV
• This Device is Pb−Free and Halogen Free
产品属性
更多- 产品编号:
2N7002WST1G
- 制造商:
onsemi
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 单个
- 包装:
管件
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
310mA(Ta)
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):
4.5V,10V
- Vgs(最大值):
±20V
- 工作温度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:
表面贴装型
- 供应商器件封装:
SC-70-3(SOT323)
- 封装/外壳:
SC-70,SOT-323
- 描述:
MOSFET N-CH 60V 0.115A SC70
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
VISHAY |
2023+ |
SOT |
58000 |
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询价 | ||
FAI |
2023+ |
TO23-3 |
75000 |
进口原装现货 |
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22+ |
SOT23 |
6000 |
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SOT-23 |
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SOT-23 |
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CJ/长电 |
24+ |
SOT-23 |
20000 |
十年沉淀唯有原装 |
询价 | ||
Nexperia(安世) |
23+ |
SOT-23 |
6800 |
原装正品,支持实单 |
询价 | ||
FAIRCHILD |
17+ |
SOT-23 |
26 |
进口原装公司现货 |
询价 |
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