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2N6762	文件：123.45 Kbytes Page：3 Pages	N-CHANNEL MOSFET N-CHANNELMOSFETQualifiedperMIL-PRF-19500/542	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
2N6762	文件：47.2 Kbytes Page：2 Pages	VGS Rated at 짹20V DESCRIPTION •VGSRatedat±20V •SiliconGateforfastswitchingspeeds •IDSS、RDS(ON),specifiedatelevatedtemperature •Lowdrivereqirements APPLICATIONS designedforhighpower,highspeedapplication,suchasswitchingapplies,UPS,ACandDCmotorcontrols,relayandhighenergy	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
2N6762	文件：137.3 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Power MOSFETs, 4.5A, 450V/500V	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
2N6762	文件：177.14 Kbytes Page：3 Pages	N-CHANNEL MOSFET	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
2N6762_1006	文件：177.14 Kbytes Page：3 Pages	N-CHANNEL MOSFET	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
JANTX2N6762	文件：234.12 Kbytes Page：6 Pages	POWERMOSFETN-CHANNEL(BVdss=500V,Rds(on)=1.5ohm,Id=4.5A) TheHEXFET®technologyisthekeytoInternationalRectifier’sadvancedlineofpowerMOSFETtransistors.Theefficientgeometryanduniqueprocessingofthislatest“StateoftheArt”designachieves:verylowon-stateresistancecombinedwithhightransconductance;superiorreverseenergyanddi	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
JANTX2N6762	文件：146.28 Kbytes Page：7 Pages	TRANSISTORSN-CHANNEL(Vdss=500V,Rds(on)=1.5ohm,Id=4.5A) TheHEXFET®technologyisthekeytoInternationalRectifier’sadvancedlineofpowerMOSFETtransistors.Theefficientgeometryanduniqueprocessingofthislatest“StateoftheArt”designachieves:verylowon-stateresistancecombinedwithhightransconductance;superiorreverseenergyanddi	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
JANTX2N6762	文件：149.79 Kbytes Page：7 Pages	RepetitiveAvalancheRatings	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
JANTXV2N6762	文件：146.28 Kbytes Page：7 Pages	TRANSISTORSN-CHANNEL(Vdss=500V,Rds(on)=1.5ohm,Id=4.5A) TheHEXFET®technologyisthekeytoInternationalRectifier’sadvancedlineofpowerMOSFETtransistors.Theefficientgeometryanduniqueprocessingofthislatest“StateoftheArt”designachieves:verylowon-stateresistancecombinedwithhightransconductance;superiorreverseenergyanddi	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
JANTXV2N6762	文件：234.12 Kbytes Page：6 Pages	POWERMOSFETN-CHANNEL(BVdss=500V,Rds(on)=1.5ohm,Id=4.5A) TheHEXFET®technologyisthekeytoInternationalRectifier’sadvancedlineofpowerMOSFETtransistors.Theefficientgeometryanduniqueprocessingofthislatest“StateoftheArt”designachieves:verylowon-stateresistancecombinedwithhightransconductance;superiorreverseenergyanddi	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF

详细参数

型号：
2N6762
制造商：
International Rectifier
功能描述：
TRANS MOSFET N-CH 500V 4.5A 3PIN TO-204AA - Bulk
制造商：
Microsemi Corporation
功能描述：
N CHANNEL MOSFET - Bulk
功能描述：
N CH MOSFET, 500V, 4.5A, TO-204AA; Transistor
Polarity：
N Channel; Continuous Drain Current
Id：
4.5A; Drain Source Voltage
Vds：
500V; On Resistance
Rds(on)：
1.5ohm; Rds(on) Test Voltage
Vgs：
10V; Threshold Voltage Vgs
Typ：
4V ;RoHS
Compliant：
No

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市弘为电子有限公司	2N6762	IR/MOT	16+	TO-3	850	原装现货假一罚十	询价
深圳市特顺芯科技有限公司	2N6762	IR	02+	TO-3	512		询价
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深圳市永贝尔科技有限公司	2N6762	FAIRCHILD	23+	NA	19960	只做进口原装,终端工厂免费送样	询价
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