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2N6760	文件：122.87 Kbytes Page：3 Pages	N-CHANNEL MOSFET N-CHANNELMOSFET QualifiedperMIL-PRF-19500/542	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司
2N6760	文件：177.12 Kbytes Page：3 Pages	N-CHANNEL MOSFET N-CHANNELMOSFET QualifiedperMIL-PRF-19500/542	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司
2N6760	文件：47.2 Kbytes Page：2 Pages	VGS Rated at 짹20V DESCRIPTION •VGSRatedat±20V •SiliconGateforfastswitchingspeeds •IDSS、RDS(ON),specifiedatelevatedtemperature •Lowdrivereqirements APPLICATIONS designedforhighpower,highspeedapplication,suchasswitchingapplies,UPS,ACandDCmotorcontrols,relayandhighenergy	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
2N6760	文件：138.02 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Power MOSFETs, 5.5A, 350V/400V Description Thesedevicesaren-channel,enchancementmode,powerMOSFETsdesignedespeciallyforhighpower,highspeedapplications,suchasoff-lineswitchingpowersupplies,UPS,ACandDCmotorcontrols,relayandsolenoiddriversandhighenergypulsecircuits.	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
2N6760	文件：96.83 Kbytes Page：3 Pages	N-CHANNEL POWER MOSFET	SEME-LAB Seme LAB
2N6760_1006	文件：177.12 Kbytes Page：3 Pages	N-CHANNEL MOSFET N-CHANNELMOSFET QualifiedperMIL-PRF-19500/542	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司
JANTX2N6760	文件：146.64 Kbytes Page：7 Pages	TRANSISTORSN-CHANNEL(Vdss=400V,Rds(on)=1.00ohm,Id=5.5A) TheHEXFETtechnologyisthekeytoInternationalRectifier’sadvancedlineofpowerMOSFETtransistors.Theefficientgeometryanduniqueprocessingofthislatest“StateoftheArt”designachieves:verylowon-stateresistancecombinedwithhightransconductance;superiorreverseenergyanddio	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
JANTX2N6760	文件：234.1 Kbytes Page：6 Pages	POWERMOSFETN-CHANNEL(BVdss=400V,Rds(on)=1.00ohm,Id=5.5A) TheHEXFETtechnologyisthekeytoInternationalRectifier’sadvancedlineofpowerMOSFETtransistors.Theefficientgeometryanduniqueprocessingofthislatest“StateoftheArt”designachieves:verylowon-stateresistancecombinedwithhightransconductance;superiorreverseenergyanddio	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
JANTX2N6760	文件：150.16 Kbytes Page：7 Pages	RepetitiveAvalancheRatings	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
JANTXV2N6760	文件：234.1 Kbytes Page：6 Pages	POWERMOSFETN-CHANNEL(BVdss=400V,Rds(on)=1.00ohm,Id=5.5A) TheHEXFETtechnologyisthekeytoInternationalRectifier’sadvancedlineofpowerMOSFETtransistors.Theefficientgeometryanduniqueprocessingofthislatest“StateoftheArt”designachieves:verylowon-stateresistancecombinedwithhightransconductance;superiorreverseenergyanddio	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
JANTXV2N6760	文件：146.64 Kbytes Page：7 Pages	TRANSISTORSN-CHANNEL(Vdss=400V,Rds(on)=1.00ohm,Id=5.5A) TheHEXFETtechnologyisthekeytoInternationalRectifier’sadvancedlineofpowerMOSFETtransistors.Theefficientgeometryanduniqueprocessingofthislatest“StateoftheArt”designachieves:verylowon-stateresistancecombinedwithhightransconductance;superiorreverseenergyanddio	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司

详细参数

型号：
2N6760
制造商：
International Rectifier
功能描述：
Trans MOSFET N-CH 400V 5.5A 3-Pin(2+Tab) TO-204AA
功能描述：
TRANS MOSFET N-CH 400V 5.5A 2PIN TO-204AA - Bulk
制造商：
Microsemi Corporation
功能描述：
N CHANNEL MOSFET - Bulk
制造商：
Rochester Electronics LLC
功能描述：
HEXFET, HI-REL - Bulk
功能描述：
N CH MOSFET, 400V, 5.5A, TO-204AA; Transistor
Polarity：
N Channel; Continuous Drain Current
Id：
5.5A; Drain Source Voltage
Vds：
400V; On Resistance
Rds(on)：
1ohm; Rds(on) Test Voltage
Vgs：
10V; Threshold Voltage Vgs
Typ：
4V; No. of
Pins：
2 ;RoHS
Compliant：
No

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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