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2N6609	文件：143.29 Kbytes Page：3 Pages	POWERTRANSISTORS(16A,140V,150W) 16AMPERECOMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTORS140VOLTS150WATTS	MOSPEC MOSPEC	MOSPEC
2N6609	文件：205.47 Kbytes Page：6 Pages	COMPLEMENTARYPOWERTRANSISTORS ComplementarySiliconPowerTransistors The2N3773and2N6609arePowerBase™powertransistorsdesignedforhighpoweraudio,diskheadpositionersandotherlinearapplications.Thesedevicescanalsobeusedinpowerswitchingcircuitssuchasrelayorsolenoiddrivers,DC−DCconvertersorinve	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
2N6609	文件：148.97 Kbytes Page：3 Pages	COMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTORS 16AMPERECOMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTORS140VOLTS150WATTS	bocaBoca semiconductor corporation 博卡博卡半导体公司	boca
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2N6609	文件：84.86 Kbytes Page：1 Pages	COMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSITORS COMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSITORS16AMPS	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
2N6609	文件：96.61 Kbytes Page：2 Pages	ComplementarySiliconPowerTransistors ComplementarySiliconPowerTransistors The2N3773and2N6609arePowerBase™powertransistorsdesignedforhighpoweraudio,diskheadpositionersandotherlinearapplications.Thesedevicescanalsobeusedinpowerswitchingcircuitssuchasrelayorsolenoiddrivers,DC-DCconvertersorinve	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
2N6609	文件：144.8 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconPNPPowerTransistor DESCRIPTION •ExcellentSafeOperatingArea •HighDCCurrentGain-hFE=15(Min)@IC=-8A •LowSaturationVoltage- :VCE(sat)=-1.4V(Max)@IC=-8A •ComplementtoType2N3773 APPLICATIONS •Designedforhighpoweraudio,diskheadpositionersand otherlinearapplications,whichcan	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

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