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2N6301E3数据手册分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF

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厂商型号

2N6301E3

参数属性

2N6301E3 封装/外壳为TO-213AA,TO-66-2;包装为散装;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN DARL 80V 500UA TO66

功能描述

Darlington Transistors
TRANS NPN DARL 80V 500UA TO66

封装外壳

TO-213AA,TO-66-2

制造商

Microchip Microchip Technology

中文名称

微芯科技 微芯科技股份有限公司

数据手册

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更新时间

2025-8-14 11:12:00

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2N6301E3规格书详情

描述 Description

This high speed NPN transistor is rated at 8 amps and is military qualified up to a JANTXV level.  This TO-213AA isolated package features a 180 degree lead orientation.  ROHS, PB Free

简介

2N6301E3属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由制造生产的2N6301E3晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

技术参数

更多
  • 产品编号:

    2N6301E3

  • 制造商:

    Microchip Technology

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    散装

  • 晶体管类型:

    NPN - 达林顿

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    3V @ 80mA,8A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    500µA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    750 @ 4A,3V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 200°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-213AA,TO-66-2

  • 供应商器件封装:

    TO-66(TO-213AA)

  • 描述:

    TRANS NPN DARL 80V 500UA TO66

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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