2N6041分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
2N6041 |
| 参数属性 | 2N6041 封装/外壳为TO-220-3；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS PNP DARL 80V 8A TO-220 |
| 功能描述 | isc Silicon PNP Darlington Power Transistor |
| 封装外壳 | TO-220-3 |
| 文件大小 |
151.33 Kbytes |
| 页面数量 |
2 页 |
| 生产厂商 | ISC |
| 中文名称 | 无锡固电 |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-11-2 12:00:00 |
| 人工找货 | 2N6041价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
2N6041规格书详情
DESCRIPTION
• High DC Current Gain- : hFE = 1000(Min)@ IC= -4A
• Collector-Emitter Sustaining Voltage- : VCEO(SUS) = -80V(Min)
• Low Collector-Emitter Saturation Voltage- : VCE(sat) = -2.0V(Max)@ IC= -4A
• Complement to Type 2N6044
APPLICATIONS
• Designed for general purpose amplifier and low speed switching applications.
产品属性
- 产品编号：
2N6041 PBFREE
- 制造商：
Central Semiconductor Corp
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 晶体管类型：
PNP - 达林顿
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
2V @ 16mA，4A
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
20µA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
1000 @ 4A，4V
- 频率 - 跃迁：
4MHz
- 工作温度：
-65°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-220-3
- 供应商器件封装：
TO-220-3
- 描述：
TRANS PNP DARL 80V 8A TO-220
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON(安森美) |
2511 |
标准封装 |
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