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2N5309	文件：158.93 Kbytes Page：1 Pages	SPRINGFIELD, NEW JERSEY 07091 Signal Transistor Silicon Darlington Transistors 文件：158.93 Kbytes 页数：1 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2N5309	文件：300 bytes Page：1 Pages	Trans GP BJT NPN 60V 30A 3-Pin(2+Tab) TO-3	NJS	NJS
2N5338	文件：0 bytes Page：0 Pages	CAN	ST 上传：深圳市瑞卓芯科技有限公司	ST
2N5401	文件：0 bytes Page：0 Pages	TO-92	FSC 上传：深圳市昌和盛利电子有限公司	FSC
2N5401	文件：0 bytes Page：0 Pages	TO-92	Fairchild 仙童半导体上传：深圳市乐创天科技有限公司	Fairchild

技术参数

Maximum Power Dissipation：
5000mW
Maximum Operating Temperature：
200°C
Maximum Emitter Base Voltage：
5V
Maximum DC Collector Current：
30A
Maximum Collector Emitter Voltage：
60V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage：
0.75@1A@10A
Maximum Collector Base Voltage：
60V
Material：
Si
Configuration：
Single
Category：
Bipolar Power

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多2N5309供应商更新时间2025-11-19 13:36:00

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